Diodat - Ndreqësit - Një | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 100

SK39B R5G

aksione: 85

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 90V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 850mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

RS3D V7G

aksione: 103

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 150ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

US1BHR3G

aksione: 91

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 50ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

SK39AHM2G

aksione: 95

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 90V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 850mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

SS25HM4G

aksione: 113

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 700mV @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

US1BHM2G

aksione: 101

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 50ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

SK36B M4G

aksione: 98

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

ES3DV V7G

aksione: 68

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 20ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

SK25A R3G

aksione: 95

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 700mV @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

RS2BAHM2G

aksione: 108

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 150ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

S12KC V7G

aksione: 102

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 12A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 12A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

S2JHM4G

aksione: 46

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 2A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 1.5µs,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

S3A V7G

aksione: 120

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 1.5µs,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

S3JB M4G

aksione: 88

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 3A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 1.5µs,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

SK55B M4G

aksione: 129

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

HS3G V6G

aksione: 79

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 50ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

S2D M4G

aksione: 137

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 2A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 1.5µs,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

SS110 M2G

aksione: 102

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 800mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR340S V6G

aksione: 46

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 50ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

ES2GHM4G

aksione: 78

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 35ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

HS5K V6G

aksione: 53

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 75ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

SS29HM4G

aksione: 129

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 90V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 850mV @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

HS1K M2G

aksione: 114

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.7V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 75ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

SSL23HM4G

aksione: 94

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 410mV @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

US1D M2G

aksione: 74

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 50ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

HS1A R3G

aksione: 61

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 50ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

SK82C V6G

aksione: 102

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

HS5G V6G

aksione: 64

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 50ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

RS2AAHM2G

aksione: 87

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 150ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

ES2J M4G

aksione: 65

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.7V @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 35ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

RS2GAHM2G

aksione: 95

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 150ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

S1JBHM4G

aksione: 85

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 1A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

HS2GA M2G

aksione: 82

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 50ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

SS32 V7G

aksione: 88

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

US1DHM2G

aksione: 80

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 50ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3B V6G

aksione: 125

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 20ns,

Listoj