Diodat - Ndreqësit - Një

Shtëpi
Diodat - Ndreqësit - Një

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETX06STRR

aksione: 254

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 3V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 24ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETX06-1

aksione: 208

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 3V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 24ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETX06

aksione: 211

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 3V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 24ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETL06FP

aksione: 5043

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.05V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 250ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETL06-1

aksione: 239

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.05V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 250ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETL06

aksione: 254

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.05V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 250ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS16S

aksione: 167

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 8A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS16STRL

aksione: 212

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 8A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STRR

aksione: 190

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 8A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH06S

aksione: 159

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 2.4V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 25ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH06-1

aksione: 211

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 2.4V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 25ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH06

aksione: 220

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 2.4V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 25ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH03

aksione: 212

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 300V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 35ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH03S

aksione: 235

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 300V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 35ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH03-1

aksione: 193

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 300V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 35ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETU04S

aksione: 171

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 60ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETU04

aksione: 150

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 60ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100STRL

aksione: 128

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRR

aksione: 5547

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRL

aksione: 144

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10STRL

aksione: 184

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 8A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS12STRL

aksione: 175

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 8A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10S

aksione: 175

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 8A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STRL

aksione: 126

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 8A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STR

aksione: 197

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 8A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10STRL

aksione: 5071

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 270ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12STR

aksione: 126

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 270ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STR

aksione: 142

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STRR

aksione: 182

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRR

aksione: 133

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRL

aksione: 164

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STR

aksione: 174

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STRL

aksione: 100

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF4NPP

aksione: 131

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 50A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF1RPP

aksione: 115

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 50A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05RPP

aksione: 5075

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 50A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

3600

«
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
»