| Tip | Përshkrim |
| Statusi i pjesës | Obsolete |
|---|---|
| Lloji FET | P-Channel |
| Teknologji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kullimi në tensionin e burimit (Vdss) | 20V |
| Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C | 2.34A (Ta) |
| Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Karikimi i Portës (Qg) (Maks.) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (maksimumi) @ Vds | 750pF @ 16V |
| Tipar FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Shpërndarja e energjisë (maksimumi) | 730mW (Ta) |
| Temperatura e punës | - |
| Lloji i montimit | Surface Mount |
| Paketa e Pajisjes Furnizuese | 8-SOIC |
| Paketa / Rasti | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Statusi i RoHS | Në përputhje me RoHS |
|---|---|
| Niveli i ndjeshmërisë së lagështirës (MSL) | Nuk aplikohet |
| Statusi i ciklit të jetës | Vjetërsuar / fund të jetës |
| Kategori aksioneve | Aksioneve të disponueshme |
