Konfigurimi i daljes: Half Bridge (2), Aplikimet: Digital Imaging, Ndërfaqja: Logic, Lloji i ngarkesës: Capacitive and Resistive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 3 Ohm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge (2), Aplikimet: Digital Imaging, Ndërfaqja: Logic, Lloji i ngarkesës: Capacitive and Resistive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 3 Ohm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge (3), Aplikimet: DC Motors, General Purpose, Ndërfaqja: SPI, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 800 mOhm LS, 800 mOhm HS,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: DC Motors, General Purpose, Ndërfaqja: Logic, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: DMOS, RDS On (Lloji): 18.2 mOhm LS (Max), 12.3 mOhm HS (Max),
Konfigurimi i daljes: Half Bridge (2), Aplikimet: DC Motors, General Purpose, Relays, Ndërfaqja: Logic, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 95 mOhm (Max),
Konfigurimi i daljes: Half Bridge (2), Aplikimet: DC Motors, General Purpose, Relays, Ndërfaqja: Logic, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 160 mOhm (Max),
Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: PWM, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 100 mOhm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge (2), Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: PWM, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 150 mOhm,