Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Sensorë optikë - Reflektues - Prodhim an

EAITRBA6
Everlight Electronics Co Ltd

EAITRBA6

aksione: 144280

Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
SFH 9201
OSRAM Opto Semiconductors Inc.

SFH 9201

aksione: 2748

Distanca e Ndjesisë: 0.197" (5mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
GP2S24J0000F
Sharp Microelectronics

GP2S24J0000F

aksione: 4326

Distanca e Ndjesisë: 0.028" (0.7mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 35V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
GP2S40J0000F
Sharp Microelectronics

GP2S40J0000F

aksione: 2712

Distanca e Ndjesisë: 0.138" (3.5mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 35V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
GP2L24ABJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24ABJ00F

aksione: 2712

Distanca e Ndjesisë: 0.028" (0.7mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 35V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Photodarlington,

Për të demluar
GP2L26
Sharp Microelectronics

GP2L26

aksione: 2756

Distanca e Ndjesisë: 0.031" (0.8mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 35V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Photodarlington,

Për të demluar
GP2S24BCJ00F
Sharp Microelectronics

GP2S24BCJ00F

aksione: 2737

Distanca e Ndjesisë: 0.028" (0.7mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 35V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
GP2S27T2J00F
Sharp Microelectronics

GP2S27T2J00F

aksione: 4345

Distanca e Ndjesisë: 0.028" (0.7mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 35V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
HOA1404-002
Honeywell Sensing and Productivity Solutions

HOA1404-002

aksione: 4777

Distanca e Ndjesisë: 0.2" (5.08mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
HOA0709-011
Honeywell Sensing and Productivity Solutions

HOA0709-011

aksione: 9074

Distanca e Ndjesisë: 0.15" (3.8mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 15V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Photodarlington,

Për të demluar
HOA1397-002
Honeywell Sensing and Productivity Solutions

HOA1397-002

aksione: 11011

Distanca e Ndjesisë: 0.050" (1.27mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 60mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
HOA1405-002
Honeywell Sensing and Productivity Solutions

HOA1405-002

aksione: 11462

Distanca e Ndjesisë: 0.2" (5.08mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
HLC1395-002
Honeywell Sensing and Productivity Solutions

HLC1395-002

aksione: 18721

Distanca e Ndjesisë: 0.040" (1.02mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
HOA0709-001
Honeywell Sensing and Productivity Solutions

HOA0709-001

aksione: 11523

Distanca e Ndjesisë: 0.15" (3.8mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 15V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Photodarlington,

Për të demluar
OPB700Z
TT Electronics/Optek Technology

OPB700Z

aksione: 9335

Distanca e Ndjesisë: 0.200" (5.08mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 24V, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 100mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
OPB608B
TT Electronics/Optek Technology

OPB608B

aksione: 51569

Distanca e Ndjesisë: 0.050" (1.27mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 25mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
OPB608A
TT Electronics/Optek Technology

OPB608A

aksione: 51248

Distanca e Ndjesisë: 0.050" (1.27mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 25mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
OPB607A
TT Electronics/Optek Technology

OPB607A

aksione: 58586

Distanca e Ndjesisë: 0.050" (1.27mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 15V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 125mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Photodarlington,

Për të demluar
OPB701AL
TT Electronics/Optek Technology

OPB701AL

aksione: 4490

Distanca e Ndjesisë: 0.200" (5.08mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 15V, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 100mA, Lloji i daljes: Photodarlington,

Për të demluar
OPB700AL
TT Electronics/Optek Technology

OPB700AL

aksione: 5308

Distanca e Ndjesisë: 0.200" (5.08mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 24V, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 100mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
OPB70CWZ
TT Electronics/Optek Technology

OPB70CWZ

aksione: 4369

Distanca e Ndjesisë: 0.150" (3.81mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 25mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 40mA, Lloji i daljes: Transistor,

Për të demluar
OPB702
TT Electronics/Optek Technology

OPB702

aksione: 28577

Distanca e Ndjesisë: 0.150" (3.81mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
OPB740WZ
TT Electronics/Optek Technology

OPB740WZ

aksione: 21977

Distanca e Ndjesisë: 0.150" (3.81mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 40mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
EE-SF5-B
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SF5-B

aksione: 8947

Distanca e Ndjesisë: 0.197" (5mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
EE-SY191
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY191

aksione: 2757

Distanca e Ndjesisë: 0.178" (4.5mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
PMP12RI
Carlo Gavazzi Inc.

PMP12RI

aksione: 146

Distanca e Ndjesisë: 472.4" (12m) 39.4', Metoda e Ndjesisë: Reflective,

Për të demluar
OPB704W
ON Semiconductor

OPB704W

aksione: 2756

Distanca e Ndjesisë: 0.200" (5.08mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 25mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 40mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
QRE1113GR
ON Semiconductor

QRE1113GR

aksione: 178615

Distanca e Ndjesisë: 0.197" (5mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
MTRS9520
Marktech Optoelectronics

MTRS9520

aksione: 14295

Distanca e Ndjesisë: 1.5mm, Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 60mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
MTRS5750D
Marktech Optoelectronics

MTRS5750D

aksione: 12953

Distanca e Ndjesisë: 1.5mm, Metoda e Ndjesisë: Reflective, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 30mA, Lloji i daljes: Photodiode,

Për të demluar
CNB13020R
Panasonic Electronic Components

CNB13020R

aksione: 2766

Distanca e Ndjesisë: 0.039" (1mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
CNB10010WL
Panasonic Electronic Components

CNB10010WL

aksione: 2683

Distanca e Ndjesisë: 0.039" (1mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 35V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
LTH-301-23
Lite-On Inc.

LTH-301-23

aksione: 2720

Distanca e Ndjesisë: 0.2" (5.08mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 60mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
HSDL-9100-024
Broadcom Limited

HSDL-9100-024

aksione: 74383

Distanca e Ndjesisë: 0.197" (5mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 100mA, Lloji i daljes: Photodiode,

Për të demluar
TCRT1010
Vishay Semiconductor Opto Division

TCRT1010

aksione: 56364

Distanca e Ndjesisë: 0.157" (4mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 32V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar
RPR-359F
Rohm Semiconductor

RPR-359F

aksione: 50797

Distanca e Ndjesisë: 0.138" (3.5mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Për të demluar