Diodat - Ndreqësit - Një | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 21

MBR8045

aksione: 4200

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 80A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 650mV @ 80A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH30020RL

aksione: 2354

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 300A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 580mV @ 300A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

FR30GR02

aksione: 7100

Lloji i diodës: Standard, Reverse Polarity, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 30A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 30A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 200ns,

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040RL

aksione: 2289

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 300A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 300A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045L

aksione: 2377

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 300A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 300A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MUR5010R

aksione: 5676

Lloji i diodës: Standard, Reverse Polarity, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 50A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 50A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 75ns,

Listoj

GeneSiC Semiconductor

FR85G02

aksione: 6031

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 85A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.4V @ 85A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 200ns,

Listoj

GeneSiC Semiconductor

FR40MR05

aksione: 7147

Lloji i diodës: Standard, Reverse Polarity, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 40A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 40A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 500ns,

Listoj

GeneSiC Semiconductor

FR85GR02

aksione: 6017

Lloji i diodës: Standard, Reverse Polarity, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 85A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.4V @ 85A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 200ns,

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH30030L

aksione: 2356

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 300A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 580mV @ 300A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MURH7060R

aksione: 2350

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 70A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.7V @ 70A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 110ns,

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045RL

aksione: 2334

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 300A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 300A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040L

aksione: 2296

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 300A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 300A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035L

aksione: 2318

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 300A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 300A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035RL

aksione: 5231

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 300A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 300A,

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035L

aksione: 2307

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 200A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH20045RL

aksione: 2242

Lloji i diodës: Schottky, Reverse Polarity, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 200A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020RL

aksione: 2232

Lloji i diodës: Schottky, Reverse Polarity, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 150A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 580mV @ 150A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

GAP05SLT80-220

aksione: 311

Lloji i diodës: Silicon Carbide Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 8000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 50mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 4.6V @ 50mA, Shpejtësia: No Recovery Time > 500mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 0ns,

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020RL

aksione: 2319

Lloji i diodës: Schottky, Reverse Polarity, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 580mV @ 200mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045RL

aksione: 2265

Lloji i diodës: Schottky, Reverse Polarity, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 150A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 150A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030L

aksione: 2239

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 150A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 580mV @ 150A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020L

aksione: 2328

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 580mV @ 200mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040L

aksione: 2310

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 150A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 150A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035L

aksione: 2284

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 150A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 150A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH20030L

aksione: 2270

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 580mV @ 200A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH20040RL

aksione: 2239

Lloji i diodës: Schottky, Reverse Polarity, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 200A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035RL

aksione: 5225

Lloji i diodës: Schottky, Reverse Polarity, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 200A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040RL

aksione: 2278

Lloji i diodës: Schottky, Reverse Polarity, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 150A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 150A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035RL

aksione: 2301

Lloji i diodës: Schottky, Reverse Polarity, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 150A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 150A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020L

aksione: 2249

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 150A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 580mV @ 150A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030RL

aksione: 2239

Lloji i diodës: Schottky, Reverse Polarity, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 150A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045L

aksione: 2267

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 150A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 150A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

GeneSiC Semiconductor

FR6A02

aksione: 10367

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 6A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.4V @ 6A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 200ns,

Listoj

GeneSiC Semiconductor

GB01SLT12-220

aksione: 20747

Lloji i diodës: Silicon Carbide Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.8V @ 1A, Shpejtësia: No Recovery Time > 500mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 0ns,

Listoj

GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

aksione: 5683

Lloji i diodës: Silicon Carbide Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 3300V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 300mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 2.2V @ 300mA, Shpejtësia: No Recovery Time > 500mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 0ns,

Listoj