Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

Shtëpi
Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

IPB022N04LGATMA1

Infineon Technologies

IPB022N04LGATMA1

aksione: 1386

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 90A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IRLR2905TRLPBF

aksione: 165150

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 55V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IRFU3607PBF

aksione: 40268

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 75V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IRF6898MTR1PBF

aksione: 1392

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), 213A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 mOhm @ 35A, 10V,

Listoj

IPI50R299CPXKSA1

Infineon Technologies

IPI50R299CPXKSA1

aksione: 30953

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6.6A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IRFI540NPBF

aksione: 41424

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 11A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IRF6894MTR1PBF

aksione: 1349

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 160A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 33A, 10V,

Listoj

IPD60R520CPBTMA1

Infineon Technologies

IPD60R520CPBTMA1

aksione: 1477

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

Listoj

IPW65R660CFDFKSA1

Infineon Technologies

IPW65R660CFDFKSA1

aksione: 42282

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 700V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

Listoj

IPI65R420CFDXKSA1

Infineon Technologies

IPI65R420CFDXKSA1

aksione: 64557

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8.7A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 3.4A, 10V,

Listoj

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

IPN70R750P7SATMA1

aksione: 9964

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 700V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.4A, 10V,

Listoj

IPI80N04S4L04AKSA1

Infineon Technologies

IPI80N04S4L04AKSA1

aksione: 96724

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 80A, 10V,

Listoj

IPB052N04NGATMA1

Infineon Technologies

IPB052N04NGATMA1

aksione: 1431

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 70A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IRFB7530PBF

aksione: 22543

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

Listoj

IPD250N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

IPD250N06N3GBTMA1

aksione: 1440

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 28A, 10V,

Listoj

IPB023N04NGATMA1

Infineon Technologies

IPB023N04NGATMA1

aksione: 6170

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 90A, 10V,

Listoj

IPB110N20N3LFATMA1

Infineon Technologies

IPB110N20N3LFATMA1

aksione: 18377

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 88A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IRLH7134TR2PBF

aksione: 1435

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), 85A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IRFB7540PBF

aksione: 42181

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 65A, 10V,

Listoj

IPB260N06N3GATMA1

Infineon Technologies

IPB260N06N3GATMA1

aksione: 1437

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.7 mOhm @ 27A, 10V,

Listoj

IPD068P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

IPD068P03L3GBTMA1

aksione: 1389

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 70A, 10V,

Listoj

IPA65R600C6XKSA1

Infineon Technologies

IPA65R600C6XKSA1

aksione: 76264

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IRFR48ZTRLPBF

aksione: 132108

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 55V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,

Listoj

IPP65R380C6XKSA1

Infineon Technologies

IPP65R380C6XKSA1

aksione: 59867

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 10.6A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

Listoj

IPD60R520C6BTMA1

Infineon Technologies

IPD60R520C6BTMA1

aksione: 1417

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8.1A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 2.8A, 10V,

Listoj

IPB093N04LGATMA1

Infineon Technologies

IPB093N04LGATMA1

aksione: 1417

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 50A, 10V,

Listoj

IPI50R250CPXKSA1

Infineon Technologies

IPI50R250CPXKSA1

aksione: 48805

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

Listoj

IPB65R280C6ATMA1

Infineon Technologies

IPB65R280C6ATMA1

aksione: 56772

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 13.8A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

Listoj

IPB65R190C6ATMA1

Infineon Technologies

IPB65R190C6ATMA1

aksione: 45430

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 20.2A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

Listoj

IPB020N08N5ATMA1

Infineon Technologies

IPB020N08N5ATMA1

aksione: 33910

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

Listoj

IPP100N04S4H2AKSA1

Infineon Technologies

IPP100N04S4H2AKSA1

aksione: 80220

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 100A, 10V,

Listoj

IPB60R520CPATMA1

Infineon Technologies

IPB60R520CPATMA1

aksione: 6152

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

Listoj

IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

IPN95R3K7P7ATMA1

aksione: 9929

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 950V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 800mA, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IPB097N08N3 G

aksione: 1439

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 46A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IRFSL4410ZPBF

aksione: 23253

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 97A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 58A, 10V,

Listoj

IPB65R420CFDATMA1

Infineon Technologies

IPB65R420CFDATMA1

aksione: 1398

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8.7A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 3.4A, 10V,

Listoj

3600

«
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
»