Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

Shtëpi
Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

Infineon Technologies

IPI06N03LA

aksione: 173

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IRF6662TR1PBF

aksione: 101

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8.3A (Ta), 47A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8.2A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IPB09N03LA G

aksione: 147

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

SPD04P10PLGBTMA1

Infineon Technologies

SPD04P10PLGBTMA1

aksione: 102883

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 3A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IPI100N06S3-04

aksione: 136

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 55V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 80A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IPS03N03LA G

aksione: 138

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 60A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

SPB47N10L

aksione: 199

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 33A, 10V,

Listoj

SPD08P06PGBTMA1

Infineon Technologies

SPD08P06PGBTMA1

aksione: 16548

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8.83A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 6.2V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 10A, 6.2V,

Listoj

Infineon Technologies

IPSH5N03LA G

aksione: 189

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 50A, 10V,

Listoj

IPC100N04S51R2ATMA1

Infineon Technologies

IPC100N04S51R2ATMA1

aksione: 82815

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 50A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IPB100N06S3-04

aksione: 235

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 55V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 80A, 10V,

Listoj

SPB100N04S2L-03

Infineon Technologies

SPB100N04S2L-03

aksione: 220

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

SPN03N60C3

aksione: 210

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 700mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

SPB80N06S2-H5

aksione: 235

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 55V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 80A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IPB03N03LA G

aksione: 310

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 55A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IPF10N03LA

aksione: 143

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

SPP11N65C3XKSA1

Infineon Technologies

SPP11N65C3XKSA1

aksione: 39728

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IPB04N03LB G

aksione: 185

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 55A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IPP80N06S3L-05

aksione: 148

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 55V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 69A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IRF6612TRPBF

aksione: 56

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 136A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 24A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IPS06N03LZ G

aksione: 131

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IRF6629TRPBF

aksione: 143

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 29A (Ta), 180A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 29A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IRF6678TR1PBF

aksione: 123

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 150A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

SPP100N06S2L-05

Infineon Technologies

SPP100N06S2L-05

aksione: 244

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 55V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IPF04N03LA

aksione: 121

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 50A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IPP070N06N G

aksione: 126

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 80A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IPB14N03LA G

aksione: 116

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

SPI11N65C3XKSA1

Infineon Technologies

SPI11N65C3XKSA1

aksione: 41062

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V,

Listoj

IPP054NE8NGHKSA2

Infineon Technologies

IPP054NE8NGHKSA2

aksione: 196

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 85V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 100A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

SPI80N06S2-07

aksione: 6094

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 55V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 68A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IRF6638TRPBF

aksione: 149

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 140A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 25A, 10V,

Listoj

IPD350N06LGBTMA1

Infineon Technologies

IPD350N06LGBTMA1

aksione: 151697

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 29A, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

IPP80N06S3-07

aksione: 124

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 55V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 51A, 10V,

Listoj

SPP20N65C3HKSA1

Infineon Technologies

SPP20N65C3HKSA1

aksione: 292

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 20.7A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V,

Listoj

IPD80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

IPD80R2K0P7ATMA1

aksione: 179102

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 800V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 940mA, 10V,

Listoj

Infineon Technologies

SPB80N10L G

aksione: 284

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 58A, 10V,

Listoj

3600

«
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
»