Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 17

APT33N90JCU3

aksione: 2314

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 900V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APT33N90JCU2

aksione: 2258

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 900V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APT28F60S

aksione: 6168

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 14A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APT24F50S

aksione: 1566

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 11A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APT23F60S

aksione: 1574

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 11A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APT20F50S

aksione: 1644

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APT15F60S

aksione: 1645

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 7A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTC90DAM60T1G

aksione: 1612

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 900V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 59A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APT14F100S

aksione: 7712

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1000V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 7A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTC90SKM60T1G

aksione: 1629

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 900V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 59A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APT50N60JCU2

aksione: 1545

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APT26M100JCU2

aksione: 2341

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1000V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396 mOhm @ 18A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APT84F50L

aksione: 3725

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 84A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APT58F50J

aksione: 2191

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APT56F60B2

aksione: 4368

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 28A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APT30N60KC6

aksione: 1263

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 14.5A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APT43F60B2

aksione: 5715

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 21A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM50UM25SG

aksione: 542

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 149A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM50SKM38TG

aksione: 622

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM50DAM38TG

aksione: 524

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM50DAM35TG

aksione: 550

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 99A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM20UM05SG

aksione: 570

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 317A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM20UM09SG

aksione: 590

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 74.5A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM20SKM10TG

aksione: 553

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 175A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM20SKM05G

aksione: 621

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 317A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM120UM95FAG

aksione: 554

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 103A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114 mOhm @ 51.5A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM20DAM10TG

aksione: 543

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 175A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM120U10DAG

aksione: 6131

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 58A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM120SK68T1G

aksione: 555

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 816 mOhm @ 12A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM120SK56T1G

aksione: 612

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM120SK15G

aksione: 600

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM120SK29TG

aksione: 565

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM120DA56T1G

aksione: 597

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM120DA68T1G

aksione: 609

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 816 mOhm @ 12A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM120DA15G

aksione: 523

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

Microsemi Corporation

APTM120DA29TG

aksione: 540

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V,

Listoj