Transistorët - IGBT - Modulet | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 16

APTGF100SK120TG

aksione: 453

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 135A, Fuqia - Maks: 568W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Listoj

Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

aksione: 3069

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200A, Fuqia - Maks: 961W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Listoj

Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

aksione: 453

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Dual, Common Source, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 135A, Fuqia - Maks: 568W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Listoj

Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

aksione: 411

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 130A, Fuqia - Maks: 735W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Listoj

Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

aksione: 435

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 135A, Fuqia - Maks: 568W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

aksione: 455

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 93A, Fuqia - Maks: 378W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

aksione: 418

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 93A, Fuqia - Maks: 378W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

aksione: 3465

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 347W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

aksione: 3433

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 347W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

aksione: 448

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 277W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

aksione: 465

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 58A, Fuqia - Maks: 192W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

aksione: 416

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 58A, Fuqia - Maks: 192W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

aksione: 481

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 120A, Fuqia - Maks: 416W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT75GN120J

aksione: 420

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 124A, Fuqia - Maks: 379W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

aksione: 401

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 124A, Fuqia - Maks: 379W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT60GT60JR

aksione: 445

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 93A, Fuqia - Maks: 378W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT50GP60J

aksione: 2419

Lloji IGBT: PT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Fuqia - Maks: 329W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

aksione: 393

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 72A, Fuqia - Maks: 379W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

aksione: 2536

Lloji IGBT: PT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 86A, Fuqia - Maks: 284W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

aksione: 469

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 77A, Fuqia - Maks: 347W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT200GN60JG

aksione: 406

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 283A, Fuqia - Maks: 682W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

aksione: 1653

Lloji IGBT: PT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 128A, Fuqia - Maks: 543W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Listoj

Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

aksione: 1360

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurimi: Boost Chopper, Full Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 65A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT40GP90JDQ2

aksione: 2143

Lloji IGBT: PT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 900V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 64A, Fuqia - Maks: 284W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT40GP90J

aksione: 2176

Lloji IGBT: PT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 900V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 68A, Fuqia - Maks: 284W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT50GP60JDQ2

aksione: 2312

Lloji IGBT: PT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Fuqia - Maks: 329W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Listoj

Microsemi Corporation

APT30GP60JDQ1

aksione: 2849

Lloji IGBT: PT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 67A, Fuqia - Maks: 245W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A,

Listoj

Microsemi Corporation

APTGF50DA120CT1G

aksione: 351

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 312W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Listoj

Microsemi Corporation

APTGF90DA60CT1G

aksione: 336

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 110A, Fuqia - Maks: 416W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Listoj

Microsemi Corporation

APTGT75DH60T1G

aksione: 3031

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Asymmetrical Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Listoj

Microsemi Corporation

APTGT50A1202G

aksione: 3035

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 277W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Listoj

Microsemi Corporation

APTGF100A120T3WG

aksione: 285

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 130A, Fuqia - Maks: 657W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Listoj

Microsemi Corporation

APTGT75SK170D1G

aksione: 351

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 120A, Fuqia - Maks: 520W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Listoj

Microsemi Corporation

APTGT75SK60T1G

aksione: 371

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Listoj

Microsemi Corporation

APTGT50SK120D1G

aksione: 316

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 270W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Listoj

Microsemi Corporation

APTGT75A120TG

aksione: 363

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Fuqia - Maks: 350W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Listoj