Transistorët - IGBT - Të vetme

Shtëpi
Transistorët - IGBT - Të vetme

APT150GN60LDQ4G

Microsemi Corporation

APT150GN60LDQ4G

aksione: 3228

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 220A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 450A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A, Fuqia - Maks: 536W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT50GN60BDQ2G

aksione: 9330

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 107A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 366W,

Listoj

APT15GT60BRDQ1G

Microsemi Corporation

APT15GT60BRDQ1G

aksione: 20246

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 42A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 45A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Fuqia - Maks: 184W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT68GA60B2D40

aksione: 6971

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 121A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 202A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 520W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT75GN60LDQ3G

aksione: 5921

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 155A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 225A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A, Fuqia - Maks: 536W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT68GA60LD40

aksione: 6948

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 121A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 202A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 520W,

Listoj

APT45GR65B2DU30

Microsemi Corporation

APT45GR65B2DU30

aksione: 10147

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 118A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 224A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A, Fuqia - Maks: 543W,

Listoj

APT70GR65B2DU40

Microsemi Corporation

APT70GR65B2DU40

aksione: 8839

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 134A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 280A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A, Fuqia - Maks: 595W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT40GP90BG

aksione: 4206

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 900V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 543W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT44GA60BD30

aksione: 10083

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 78A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 130A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A, Fuqia - Maks: 337W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT80GA90LD40

aksione: 5400

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 900V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 145A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 239A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A, Fuqia - Maks: 625W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT64GA90B

aksione: 8162

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 900V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 117A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 193A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A, Fuqia - Maks: 500W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT64GA90LD30

aksione: 6579

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 900V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 117A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 193A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A, Fuqia - Maks: 500W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT54GA60B

aksione: 11075

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 96A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 161A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A, Fuqia - Maks: 416W,

Listoj

APT50GT120B2RDQ2G

Microsemi Corporation

APT50GT120B2RDQ2G

aksione: 4613

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 94A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 625W,

Listoj

APT25GN120B2DQ2G

Microsemi Corporation

APT25GN120B2DQ2G

aksione: 7473

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 67A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 75A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Fuqia - Maks: 272W,

Listoj

APT15GT120BRDQ1G

Microsemi Corporation

APT15GT120BRDQ1G

aksione: 11168

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 36A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 45A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A, Fuqia - Maks: 250W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT45GP120BG

aksione: 3545

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 170A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A, Fuqia - Maks: 625W,

Listoj

APT15GN120BDQ1G

Microsemi Corporation

APT15GN120BDQ1G

aksione: 10827

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 45A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 45A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Fuqia - Maks: 195W,

Listoj

APT50GT120LRDQ2G

Microsemi Corporation

APT50GT120LRDQ2G

aksione: 4370

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 106A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 694W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT35GA90B

aksione: 14857

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 900V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 63A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 105A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A, Fuqia - Maks: 290W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT200GN60B2G

aksione: 3095

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 283A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 600A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A, Fuqia - Maks: 682W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT102GA60L

aksione: 4595

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 183A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 307A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A, Fuqia - Maks: 780W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT80GA90B

aksione: 6126

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 900V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 145A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 239A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A, Fuqia - Maks: 625W,

Listoj

APT13GP120BDQ1G

Microsemi Corporation

APT13GP120BDQ1G

aksione: 9652

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 41A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 50A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, Fuqia - Maks: 250W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT54GA60BD30

aksione: 9202

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 96A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 161A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A, Fuqia - Maks: 416W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT100GN120B2G

aksione: 2601

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 245A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 300A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A, Fuqia - Maks: 960W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT35GN120BG

aksione: 7198

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 94A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 105A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, Fuqia - Maks: 379W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT30GP60BDQ1G

aksione: 6297

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 463W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT43GA90B

aksione: 9181

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 900V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 78A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 129A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 25A, Fuqia - Maks: 337W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT50GT60BRG

aksione: 10003

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 110A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 446W,

Listoj

APT33GF120B2RDQ2G

Microsemi Corporation

APT33GF120B2RDQ2G

aksione: 3825

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 64A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 75A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, Fuqia - Maks: 357W,

Listoj

APT20GT60BRDQ1G

Microsemi Corporation

APT20GT60BRDQ1G

aksione: 9530

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 43A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 174W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT43GA90BD30

aksione: 7291

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 900V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 78A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 129A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A, Fuqia - Maks: 337W,

Listoj

Microsemi Corporation

APT95GR65B2

aksione: 6557

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 208A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 400A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 95A, Fuqia - Maks: 892W,

Listoj

APT100GN60LDQ4G

Microsemi Corporation

APT100GN60LDQ4G

aksione: 4644

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 229A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 300A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A, Fuqia - Maks: 625W,

Listoj

145

«
1
2
3
4
5
»