Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: PWM, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 100 mOhm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: PWM, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 100 mOhm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: PWM, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 100 mOhm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge (2), Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: PWM, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 150 mOhm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: PWM, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 100 mOhm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge (2), Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: PWM, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 150 mOhm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: PWM, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 100 mOhm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: PWM, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 100 mOhm,