Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Sensorë optikë - Reflektues - Prodhim an

  • Shtëpi
  •  
  • Sensorë optikë - Reflektues - Prodhim an
QRE00034
ON Semiconductor

QRE00034

aksione: 2759

Distanca e Ndjesisë: 0.157" (4mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Listoj
OPB704W
ON Semiconductor

OPB704W

aksione: 2756

Distanca e Ndjesisë: 0.200" (5.08mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 25mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 40mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Listoj
QRE1113GR
ON Semiconductor

QRE1113GR

aksione: 178615

Distanca e Ndjesisë: 0.197" (5mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Listoj
QRD1113
ON Semiconductor

QRD1113

aksione: 38545

Distanca e Ndjesisë: 0.050" (1.27mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Listoj
QRC1113
ON Semiconductor

QRC1113

aksione: 2734

Distanca e Ndjesisë: 0.150" (3.81mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Listoj
QRB1133
ON Semiconductor

QRB1133

aksione: 2798

Distanca e Ndjesisë: 0.150" (3.81mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Listoj
QRB1134
ON Semiconductor

QRB1134

aksione: 2734

Distanca e Ndjesisë: 0.150" (3.81mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Listoj
QRE1113
ON Semiconductor

QRE1113

aksione: 57727

Distanca e Ndjesisë: 0.197" (5mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Listoj
QRD1114
ON Semiconductor

QRD1114

aksione: 39835

Distanca e Ndjesisë: 0.050" (1.27mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Listoj
QRD1313
ON Semiconductor

QRD1313

aksione: 2740

Distanca e Ndjesisë: 0.050" (1.27mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 15V, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Photodarlington,

Listoj
QRB1113
ON Semiconductor

QRB1113

aksione: 2703

Distanca e Ndjesisë: 0.150" (3.81mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Listoj
QRB1114
ON Semiconductor

QRB1114

aksione: 2747

Distanca e Ndjesisë: 0.150" (3.81mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Listoj
QRC1133
ON Semiconductor

QRC1133

aksione: 2700

Distanca e Ndjesisë: 0.150" (3.81mm), Metoda e Ndjesisë: Reflective, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Rryma - Përpara DC (Nëse) (Maks.): 50mA, Lloji i daljes: Phototransistor,

Listoj