Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: On/Off, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 1.53 Ohm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: On/Off, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 400 mOhm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: On/Off, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 1 Ohm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: On/Off, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 740 mOhm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: On/Off, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 600 mOhm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: On/Off, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 1 Ohm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: On/Off, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 740 mOhm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: On/Off, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 260 mOhm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: On/Off, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 600 mOhm,
Konfigurimi i daljes: Half Bridge, Aplikimet: General Purpose, Ndërfaqja: On/Off, Lloji i ngarkesës: Inductive, Teknologji: Power MOSFET, RDS On (Lloji): 1.53 Ohm,