Transistorët - Bipolar (BJT) - Vargjet, Para-

Shtëpi
Transistorët - Bipolar (BJT) - Vargjet, Para-

Rohm Semiconductor

EMB4T2R

aksione: 135348

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

FMG3AT148

aksione: 190771

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

IMD3AT108

aksione: 104089

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

IMD6AT108

aksione: 171065

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

IMH4AT110

aksione: 176163

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

FMG1AT148

aksione: 145021

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMH3T2R

aksione: 185990

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

UMG1NTR

aksione: 196569

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

UMA3NTR

aksione: 157364

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMG3T2R

aksione: 157949

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMD22FHAT2R

aksione: 76

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

IMB3AT110

aksione: 126454

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMH60T2R

aksione: 156842

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj

Rohm Semiconductor

FMG4AT148

aksione: 154499

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMD6T2R

aksione: 195808

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

UMH1NTN

aksione: 133960

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

UMG2NTR

aksione: 123458

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

IMH3AT110

aksione: 192206

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

IMH2AT110

aksione: 134494

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

UMA4NTR

aksione: 125253

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMH4T2R

aksione: 118813

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

IMD2AT108

aksione: 169573

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMD12T2R

aksione: 101992

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

UMA9NTR

aksione: 166603

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMD29T2R

aksione: 117938

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, 12V, Rezistori - Baza (R1): 1 kOhms, 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V,

Listoj

Rohm Semiconductor

FMA1AT148

aksione: 103432

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMA2T2R

aksione: 164898

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMD6FHAT2R

aksione: 125

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMD4T2R

aksione: 130867

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

IMH21T110

aksione: 127835

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMD9FHAT2R

aksione: 101

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMH59T2R

aksione: 105198

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMG6T2R

aksione: 182050

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMH1T2R

aksione: 193700

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMA3T2R

aksione: 100762

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj

Rohm Semiconductor

EMH11FHAT2R

aksione: 95

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Listoj

187

«
1
2
3
4
5
6
»