Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - IGBT - Të vetme

  • Shtëpi
  •  
  • Transistorët - IGBT - Të vetme
RGTV00TK65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTV00TK65DGC11

aksione: 2789

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 45A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 94W,

Listoj
RGTV60TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTV60TS65DGC11

aksione: 2739

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 194W,

Listoj
RGT50TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGT50TS65DGC11

aksione: 20970

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 48A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 75A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Fuqia - Maks: 174W,

Listoj
RGTV00TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTV00TS65DGC11

aksione: 2823

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 95A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 276W,

Listoj
RGT60TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGT60TS65DGC11

aksione: 22178

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 55A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 90A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 194W,

Listoj
RGW80TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGW80TS65GC11

aksione: 2956

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 78A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 214W,

Listoj
RGT30NS65DGTL
Rohm Semiconductor

RGT30NS65DGTL

aksione: 76981

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 45A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Fuqia - Maks: 133W,

Listoj
RGPR30BM40HRTL
Rohm Semiconductor

RGPR30BM40HRTL

aksione: 10769

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 430V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Fuqia - Maks: 125W,

Listoj
RGPR10BM40FHTL
Rohm Semiconductor

RGPR10BM40FHTL

aksione: 10770

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 460V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Fuqia - Maks: 107W,

Listoj
RGT40NS65DGTL
Rohm Semiconductor

RGT40NS65DGTL

aksione: 64766

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 60A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 161W,

Listoj
RGPZ10BM40FHTL
Rohm Semiconductor

RGPZ10BM40FHTL

aksione: 10827

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 460V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Fuqia - Maks: 107W,

Listoj