Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 62

STFI24NM60N

aksione: 16241

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 8A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STI270N4F3

aksione: 14645

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 80A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STP8NK80Z

aksione: 21571

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 800V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.1A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STP5NK80ZFP

aksione: 32453

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 800V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 2.15A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STI18N65M5

aksione: 15369

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 7.5A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STF6N62K3

aksione: 36694

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 620V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28 Ohm @ 2.8A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STP9NM60N

aksione: 29829

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745 mOhm @ 3.25A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STP10N62K3

aksione: 30025

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 620V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8.4A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STP15N65M5

aksione: 22680

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 5.5A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STI30N65M5

aksione: 9801

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139 mOhm @ 11A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STP7N80K5

aksione: 23349

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 800V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STP40NF20

aksione: 18165

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STD2NC45-1

aksione: 60591

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 450V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STY139N65M5

aksione: 2425

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 65A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STP5N60M2

aksione: 40934

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.85A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STP3N150

aksione: 9722

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 1.3A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STI10NM60N

aksione: 28873

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 4A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STF20NK50Z

aksione: 11061

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8.5A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STP265N6F6AG

aksione: 20411

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85 mOhm @ 60A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STP150NF04

aksione: 18170

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 40A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STW20NK50Z

aksione: 23796

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8.5A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STB14NM65N

aksione: 25960

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STI260N6F6

aksione: 11391

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 75V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 60A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STF15N60M2-EP

aksione: 28030

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 378 mOhm @ 5.5A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STF13NM60N

aksione: 18913

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5.5A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STP7N65M2

aksione: 37075

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 Ohm @ 2.5A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STP14NM50N

aksione: 20255

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 6A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STP6NK90ZFP

aksione: 21585

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 900V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.9A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STP3NK90Z

aksione: 42391

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 900V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STF9N80K5

aksione: 29152

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 800V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STB12NK80ZT4

aksione: 31277

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 800V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.25A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STP28NM50N

aksione: 11119

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158 mOhm @ 10.5A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STF10N65K3

aksione: 31236

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.6A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STFU13N65M2

aksione: 23888

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 5A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STB75NH02LT4

aksione: 70644

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 24V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

STMicroelectronics

STI55NF03L

aksione: 50246

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 27.5A, 10V,

Listoj