Diodat - Ndreqësit - Një | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 100

1N4003GHR0G

aksione: 159

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4937GHR0G

aksione: 112

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 200ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817 R0G

aksione: 119

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935G R0G

aksione: 163

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 200ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5821HR0G

aksione: 151

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 500mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5820HR0G

aksione: 128

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 475mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4934GHR0G

aksione: 146

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 200ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4002GHR1G

aksione: 85

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4004GHB0G

aksione: 156

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5408GHB0G

aksione: 122

Lloji i diodës: Standard, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 3A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4005GHB0G

aksione: 143

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935G A0G

aksione: 111

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 200ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5818 A0G

aksione: 103

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 550mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4003GHB0G

aksione: 174

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4934GHB0G

aksione: 91

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 200ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817HB0G

aksione: 144

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5400G A0G

aksione: 119

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 3A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4937GHB0G

aksione: 108

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 200ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399GHA0G

aksione: 150

Lloji i diodës: Standard, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4004G R1G

aksione: 116

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935G B0G

aksione: 149

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 200ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4936GHR1G

aksione: 94

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 200ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4005GHR1G

aksione: 140

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5818HR1G

aksione: 112

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 550mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4933GHB0G

aksione: 174

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 200ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5822 B0G

aksione: 88

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 525mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1T6G A1G

aksione: 77

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5821HB0G

aksione: 90

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 500mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4006GHR1G

aksione: 134

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1T3G A0G

aksione: 175

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935G R1G

aksione: 94

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 200ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935GHR1G

aksione: 149

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 200ns,

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4002GHB0G

aksione: 128

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4006GHA0G

aksione: 150

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5402GHA0G

aksione: 123

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 3A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817HR1G

aksione: 141

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj