Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 30A, 8V,
