Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

  • Shtëpi
  •  
  • Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme
SI7104DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7104DN-T1-E3

aksione: 70460

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 26.1A, 4.5V,

Listoj
SI4368DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4368DY-T1-GE3

aksione: 43176

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Listoj
SIRA12BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA12BDP-T1-GE3

aksione: 248

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj
SI3464DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3464DV-T1-GE3

aksione: 171482

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

Listoj
SI7880ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7880ADP-T1-GE3

aksione: 33676

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SIRA90DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA90DP-T1-RE3

aksione: 245

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SISS67DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS67DN-T1-GE3

aksione: 244

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj
SI7230DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7230DN-T1-GE3

aksione: 113255

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,

Listoj
SISA12ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA12ADN-T1-GE3

aksione: 187703

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj
SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA14DP-T1-GE3

aksione: 193041

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj
SIR166DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR166DP-T1-GE3

aksione: 110153

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj
SIR670DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR670DP-T1-GE3

aksione: 130549

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SIR165DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR165DP-T1-GE3

aksione: 258

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj
SI7806ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7806ADN-T1-GE3

aksione: 113283

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V,

Listoj
IRFI830GPBF
Vishay Siliconix

IRFI830GPBF

aksione: 37055

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.9A, 10V,

Listoj
SIE808DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE808DF-T1-GE3

aksione: 35066

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Listoj
SISA01DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA01DN-T1-GE3

aksione: 265

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 22.4A (Ta), 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj
SI7390DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7390DP-T1-GE3

aksione: 57373

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj
SI4838DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-E3

aksione: 52849

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Listoj
SI7862ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7862ADP-T1-GE3

aksione: 30546

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 16V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 29A, 4.5V,

Listoj
SIRA00DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA00DP-T1-RE3

aksione: 237

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SISS02DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

aksione: 249

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 51A (Ta), 80A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj
SI7149ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7149ADP-T1-GE3

aksione: 199708

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj
SIHA17N80E-E3
Vishay Siliconix

SIHA17N80E-E3

aksione: 13653

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 800V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

Listoj
SQM50P03-07_GE3
Vishay Siliconix

SQM50P03-07_GE3

aksione: 30993

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj
SIR182DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR182DP-T1-RE3

aksione: 255

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj
SIR140DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR140DP-T1-RE3

aksione: 261

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 71.9A (Ta), 100A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SI3442BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3442BDV-T1-GE3

aksione: 122281

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4A, 4.5V,

Listoj
SIR680DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR680DP-T1-RE3

aksione: 66462

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SI4838DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-GE3

aksione: 44771

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Listoj
SIR180DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR180DP-T1-RE3

aksione: 219

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 32.4A (Ta), 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj
SIR108DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR108DP-T1-RE3

aksione: 232

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12.4A (Ta), 45A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj
SIRA60DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA60DP-T1-GE3

aksione: 111133

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SIS184DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS184DN-T1-GE3

aksione: 251

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj
SIR606BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

aksione: 296

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj
SIR668DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR668DP-T1-RE3

aksione: 64154

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj