Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

Shtëpi
Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

SIA436DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA436DJ-T1-GE3

aksione: 119071

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 8V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V,

Listoj

Vishay Siliconix

SI6415DQ-T1-E3

aksione: 101835

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 6.5A, 10V,

Listoj

SIRA01DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA01DP-T1-GE3

aksione: 9909

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj

SQJ407EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ407EP-T1_GE3

aksione: 134372

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj

SIB408DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB408DK-T1-GE3

aksione: 127930

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 10V,

Listoj

SI5468DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5468DC-T1-GE3

aksione: 193145

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.8A, 10V,

Listoj

Vishay Siliconix

IRL530PBF

aksione: 51245

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 9A, 5V,

Listoj

Vishay Siliconix

IRFU9214PBF

aksione: 98690

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 250V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

Listoj

SISH106DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISH106DN-T1-GE3

aksione: 9993

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V,

Listoj

SIS439DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS439DNT-T1-GE3

aksione: 185636

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V,

Listoj

SIR158DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR158DP-T1-RE3

aksione: 9977

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj

Vishay Siliconix

SI8457DB-T1-E1

aksione: 116255

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 3A, 4.5V,

Listoj

SQ3418EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ3418EEV-T1-GE3

aksione: 1167

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V,

Listoj

SI5429DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5429DU-T1-GE3

aksione: 1399

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7A, 10V,

Listoj

SI7430DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7430DP-T1-GE3

aksione: 61511

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 150V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

Listoj

SI5855CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5855CDC-T1-E3

aksione: 130824

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Listoj

SI7868ADP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7868ADP-T1-E3

aksione: 30942

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj

SIRA10DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA10DP-T1-GE3

aksione: 158534

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj

SQJA68EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJA68EP-T1_GE3

aksione: 9941

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 4A, 10V,

Listoj

SQ2360EES-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ2360EES-T1-GE3

aksione: 1242

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 6A, 10V,

Listoj

SI1403BDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1403BDL-T1-GE3

aksione: 9957

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Listoj

Vishay Siliconix

SI7309DN-T1-E3

aksione: 158562

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 3.9A, 10V,

Listoj

IRFR1N60ATRLPBF

Vishay Siliconix

IRFR1N60ATRLPBF

aksione: 98672

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

Listoj

Vishay Siliconix

SIHD9N60E-GE3

aksione: 78467

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 368 mOhm @ 4.5A, 10V,

Listoj

SIS452DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS452DN-T1-GE3

aksione: 125881

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj

SQ1420EEH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ1420EEH-T1-GE3

aksione: 1196

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.2A, 10V,

Listoj

SIRA26DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIRA26DP-T1-RE3

aksione: 9924

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj

SI2374DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2374DS-T1-GE3

aksione: 137862

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4.5V,

Listoj

SIRC18DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRC18DP-T1-GE3

aksione: 9922

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj

Vishay Siliconix

SI1499DH-T1-E3

aksione: 153359

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 8V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 2A, 4.5V,

Listoj

Vishay Siliconix

SI7113DN-T1-E3

aksione: 52520

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 13.2A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134 mOhm @ 4A, 10V,

Listoj

SIRC10DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRC10DP-T1-GE3

aksione: 188404

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj

SIR616DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR616DP-T1-GE3

aksione: 111187

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 20.2A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj

SI7106DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7106DN-T1-GE3

aksione: 141992

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V,

Listoj

SISA04DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISA04DN-T1-GE3

aksione: 132149

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj

SQ3426EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ3426EEV-T1-GE3

aksione: 1231

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

Listoj

3600

«
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
»