Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

SI7852DP-T1-E3

SI7852DP-T1-E3

aksione: 82416

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj
SI7852DP-T1-GE3

SI7852DP-T1-GE3

aksione: 47290

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj
SI4425BDY-T1-E3

SI4425BDY-T1-E3

aksione: 172331

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11.4A, 10V,

Listoj
SQP50N06-09L_GE3

SQP50N06-09L_GE3

aksione: 8092

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

aksione: 82231

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SQJ410EP-T1_GE3

SQJ410EP-T1_GE3

aksione: 8027

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 10.3A, 10V,

Listoj
IRFL9014TRPBF

IRFL9014TRPBF

aksione: 109733

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 1.1A, 10V,

Listoj
SQM40022EM_GE3

SQM40022EM_GE3

aksione: 8007

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63 mOhm @ 35A, 10V,

Listoj
SQM10250E_GE3

SQM10250E_GE3

aksione: 8102

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 250V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj
SQM60N06-15_GE3

SQM60N06-15_GE3

aksione: 54775

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj
SQP25N15-52_GE3

SQP25N15-52_GE3

aksione: 8033

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 150V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj
SQJ469EP-T1_GE3

SQJ469EP-T1_GE3

aksione: 51907

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10.2A, 10V,

Listoj
SI8808DB-T2-E1

SI8808DB-T2-E1

aksione: 152807

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 1A, 4.5V,

Listoj
SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

aksione: 104568

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 1.9A, 10V,

Listoj
SQM40016EM_GE3

SQM40016EM_GE3

aksione: 8077

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 250A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 40A, 10V,

Listoj
SI4456DY-T1-GE3

SI4456DY-T1-GE3

aksione: 54802

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SIR846ADP-T1-RE3

SIR846ADP-T1-RE3

aksione: 7812

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SI7328DN-T1-GE3

SI7328DN-T1-GE3

aksione: 70522

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 18.9A, 10V,

Listoj
SUD40N10-25-T4-E3

SUD40N10-25-T4-E3

aksione: 44633

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 40A, 10V,

Listoj
SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

aksione: 85036

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SI7434ADP-T1-RE3

SI7434ADP-T1-RE3

aksione: 7901

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 250V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3.7A, 10V,

Listoj
SIDR622DP-T1-GE3

SIDR622DP-T1-GE3

aksione: 8057

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 150V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 64.6A (Ta), 56.7A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

aksione: 76105

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj
SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

aksione: 184657

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 8V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V,

Listoj
SI7742DP-T1-GE3

SI7742DP-T1-GE3

aksione: 91563

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SQ2303ES-T1_GE3

SQ2303ES-T1_GE3

aksione: 166796

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.8A, 10V,

Listoj
SIHA240N60E-GE3

SIHA240N60E-GE3

aksione: 5819

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 5.5A, 10V,

Listoj
SI7135DP-T1-GE3

SI7135DP-T1-GE3

aksione: 68497

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SI7720DN-T1-GE3

SI7720DN-T1-GE3

aksione: 77144

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj
SIR880DP-T1-GE3

SIR880DP-T1-GE3

aksione: 23751

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SQJQ100E-T1_GE3

SQJQ100E-T1_GE3

aksione: 54878

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SIHD7N60ET4-GE3

SIHD7N60ET4-GE3

aksione: 7819

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Listoj
SIE874DF-T1-GE3

SIE874DF-T1-GE3

aksione: 60977

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.17 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SIR638ADP-T1-RE3

SIR638ADP-T1-RE3

aksione: 7890

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj
SI3460BDV-T1-E3

SI3460BDV-T1-E3

aksione: 111885

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Listoj
SIR872ADP-T1-GE3

SIR872ADP-T1-GE3

aksione: 85046

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 150V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 53.7A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj