| Tip | Përshkrim |
| Statusi i pjesës | Active |
|---|---|
| Lloji FET | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| Tipar FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Kullimi në tensionin e burimit (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Karikimi i Portës (Qg) (Maks.) @ Vgs | 49nC @ 20V |
| Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (maksimumi) @ Vds | 950pF @ 1000V |
| Fuqia - Maks | 125W |
| Temperatura e punës | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Lloji i montimit | Chassis Mount |
| Paketa / Rasti | SP3 |
| Paketa e Pajisjes Furnizuese | SP3 |
| Statusi i RoHS | Në përputhje me RoHS |
|---|---|
| Niveli i ndjeshmërisë së lagështirës (MSL) | Nuk aplikohet |
| Statusi i ciklit të jetës | Vjetërsuar / fund të jetës |
| Kategori aksioneve | Aksioneve të disponueshme |
