| Tip | Përshkrim |
| Statusi i pjesës | Active |
|---|---|
| Lloji FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Tipar FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Kullimi në tensionin e burimit (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C | 444A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 400A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 105mA |
| Karikimi i Portës (Qg) (Maks.) @ Vgs | 1127nC @ 20V |
| Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (maksimumi) @ Vds | - |
| Fuqia - Maks | 3000W |
| Temperatura e punës | 175°C (TJ) |
| Lloji i montimit | - |
| Paketa / Rasti | Module |
| Paketa e Pajisjes Furnizuese | Module |
| Statusi i RoHS | Në përputhje me RoHS |
|---|---|
| Niveli i ndjeshmërisë së lagështirës (MSL) | Nuk aplikohet |
| Statusi i ciklit të jetës | Vjetërsuar / fund të jetës |
| Kategori aksioneve | Aksioneve të disponueshme |
