| Tip | Përshkrim |
| Statusi i pjesës | Obsolete |
|---|---|
| Lloji FET | N-Channel |
| Teknologji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Kullimi në tensionin e burimit (Vdss) | 1200V |
| Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C | 50A (Tj) |
| Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Karikimi i Portës (Qg) (Maks.) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
| Vgs (Maks.) | +25V, -5V |
| Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (maksimumi) @ Vds | 1915pF @ 800V |
| Tipar FET | - |
| Shpërndarja e energjisë (maksimumi) | 313mW (Tj) |
| Temperatura e punës | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Lloji i montimit | Surface Mount |
| Paketa e Pajisjes Furnizuese | Die |
| Paketa / Rasti | Die |
| Statusi i RoHS | Në përputhje me RoHS |
|---|---|
| Niveli i ndjeshmërisë së lagështirës (MSL) | Nuk aplikohet |
| Statusi i ciklit të jetës | Vjetërsuar / fund të jetës |
| Kategori aksioneve | Aksioneve të disponueshme |
