| Tip | Përshkrim |
| Statusi i pjesës | Active |
|---|---|
| Lloji FET | N-Channel |
| Teknologji | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Kullimi në tensionin e burimit (Vdss) | 60V |
| Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C | 31A (Ta) |
| Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 30A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 15mA |
| Karikimi i Portës (Qg) (Maks.) @ Vgs | 17nC @ 5V |
| Vgs (Maks.) | +6V, -4V |
| Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (maksimumi) @ Vds | 1800pF @ 300V |
| Tipar FET | - |
| Shpërndarja e energjisë (maksimumi) | - |
| Temperatura e punës | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Lloji i montimit | Surface Mount |
| Paketa e Pajisjes Furnizuese | Die |
| Paketa / Rasti | Die |
| Statusi i RoHS | Në përputhje me RoHS |
|---|---|
| Niveli i ndjeshmërisë së lagështirës (MSL) | Nuk aplikohet |
| Statusi i ciklit të jetës | Vjetërsuar / fund të jetës |
| Kategori aksioneve | Aksioneve të disponueshme |
