| Tip | Përshkrim |
| Statusi i pjesës | Active |
|---|---|
| Lloji FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Tipar FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Kullimi në tensionin e burimit (Vdss) | 80V |
| Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA |
| Karikimi i Portës (Qg) (Maks.) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V |
| Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (maksimumi) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
| Fuqia - Maks | - |
| Temperatura e punës | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Lloji i montimit | Surface Mount |
| Paketa / Rasti | Die |
| Paketa e Pajisjes Furnizuese | Die |
| Statusi i RoHS | Në përputhje me RoHS |
|---|---|
| Niveli i ndjeshmërisë së lagështirës (MSL) | Nuk aplikohet |
| Statusi i ciklit të jetës | Vjetërsuar / fund të jetës |
| Kategori aksioneve | Aksioneve të disponueshme |
