| Tip | Përshkrim |
| Statusi i pjesës | Active |
|---|---|
| Lloji FET | N-Channel |
| Teknologji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kullimi në tensionin e burimit (Vdss) | 20V |
| Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Karikimi i Portës (Qg) (Maks.) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| Vgs (Maks.) | ±12V |
| Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (maksimumi) @ Vds | 273pF @ 10V |
| Tipar FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Shpërndarja e energjisë (maksimumi) | 1.7W (Ta) |
| Temperatura e punës | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Lloji i montimit | Surface Mount |
| Paketa e Pajisjes Furnizuese | MicroFET 3x3mm |
| Paketa / Rasti | 6-WDFN Exposed Pad |
| Statusi i RoHS | Në përputhje me RoHS |
|---|---|
| Niveli i ndjeshmërisë së lagështirës (MSL) | Nuk aplikohet |
| Statusi i ciklit të jetës | Vjetërsuar / fund të jetës |
| Kategori aksioneve | Aksioneve të disponueshme |
