| Tip | Përshkrim |
| Statusi i pjesës | Active |
|---|---|
| Lloji FET | N-Channel |
| Teknologji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Kullimi në tensionin e burimit (Vdss) | 650V |
| Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C | 39A (Tc) |
| Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 13A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 6.67mA |
| Karikimi i Portës (Qg) (Maks.) @ Vgs | 58nC @ 18V |
| Vgs (Maks.) | +22V, -4V |
| Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (maksimumi) @ Vds | 852pF @ 500V |
| Tipar FET | - |
| Shpërndarja e energjisë (maksimumi) | 165W (Tc) |
| Temperatura e punës | 175°C (TJ) |
| Lloji i montimit | Through Hole |
| Paketa e Pajisjes Furnizuese | TO-247N |
| Paketa / Rasti | TO-247-3 |
| Statusi i RoHS | Në përputhje me RoHS |
|---|---|
| Niveli i ndjeshmërisë së lagështirës (MSL) | Nuk aplikohet |
| Statusi i ciklit të jetës | Vjetërsuar / fund të jetës |
| Kategori aksioneve | Aksioneve të disponueshme |
