Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Unifikim i Programueshëm

2N6027
Central Semiconductor Corp

2N6027

aksione: 76016

Tensioni: 40V, Shpërndarja e energjisë (maksimumi): 300mW, Tensioni - Prodhimi: 6V, Tensioni - Kompensimi (Vt): 1.6V, Rrjedhja aktuale - Porta në anode (Igao): 10nA, Rryma - Lugina (Iv): 50µA,

Për të demluar
2N6028
Central Semiconductor Corp

2N6028

aksione: 75982

Tensioni: 40V, Shpërndarja e energjisë (maksimumi): 300mW, Tensioni - Prodhimi: 6V, Tensioni - Kompensimi (Vt): 600mV, Rrjedhja aktuale - Porta në anode (Igao): 10nA, Rryma - Lugina (Iv): 25µA,

Për të demluar
CMPP6028 TR
Central Semiconductor Corp

CMPP6028 TR

aksione: 54052

Tensioni: 40V, Shpërndarja e energjisë (maksimumi): 167mW, Tensioni - Prodhimi: 6V, Tensioni - Kompensimi (Vt): 600mV, Rrjedhja aktuale - Porta në anode (Igao): 10nA, Rryma - Lugina (Iv): 25µA,

Për të demluar
2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

aksione: 2509

Tensioni: 40V, Shpërndarja e energjisë (maksimumi): 300mW, Tensioni - Prodhimi: 11V, Tensioni - Kompensimi (Vt): 600mV, Rrjedhja aktuale - Porta në anode (Igao): 10nA, Rryma - Lugina (Iv): 25µA,

Për të demluar
2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

aksione: 2537

Tensioni: 40V, Shpërndarja e energjisë (maksimumi): 300mW, Tensioni - Prodhimi: 11V, Tensioni - Kompensimi (Vt): 600mV, Rrjedhja aktuale - Porta në anode (Igao): 10nA, Rryma - Lugina (Iv): 25µA,

Për të demluar
2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

aksione: 2538

Tensioni: 40V, Shpërndarja e energjisë (maksimumi): 300mW, Tensioni - Prodhimi: 11V, Tensioni - Kompensimi (Vt): 1.6V, Rrjedhja aktuale - Porta në anode (Igao): 10nA, Rryma - Lugina (Iv): 50µA,

Për të demluar
2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

aksione: 2531

Tensioni: 40V, Shpërndarja e energjisë (maksimumi): 300mW, Tensioni - Prodhimi: 11V, Tensioni - Kompensimi (Vt): 600mV, Rrjedhja aktuale - Porta në anode (Igao): 10nA, Rryma - Lugina (Iv): 25µA,

Për të demluar
2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

aksione: 2482

Tensioni: 40V, Shpërndarja e energjisë (maksimumi): 300mW, Tensioni - Prodhimi: 11V, Tensioni - Kompensimi (Vt): 1.6V, Rrjedhja aktuale - Porta në anode (Igao): 10nA, Rryma - Lugina (Iv): 50µA,

Për të demluar
2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

aksione: 2534

Tensioni: 40V, Shpërndarja e energjisë (maksimumi): 300mW, Tensioni - Prodhimi: 11V, Tensioni - Kompensimi (Vt): 600mV, Rrjedhja aktuale - Porta në anode (Igao): 10nA, Rryma - Lugina (Iv): 25µA,

Për të demluar
2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

aksione: 2493

Tensioni: 40V, Shpërndarja e energjisë (maksimumi): 300mW, Tensioni - Prodhimi: 11V, Tensioni - Kompensimi (Vt): 1.6V, Rrjedhja aktuale - Porta në anode (Igao): 10nA, Rryma - Lugina (Iv): 50µA,

Për të demluar
2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

aksione: 2505

Tensioni: 40V, Shpërndarja e energjisë (maksimumi): 300mW, Tensioni - Prodhimi: 11V, Tensioni - Kompensimi (Vt): 600mV, Rrjedhja aktuale - Porta në anode (Igao): 10nA, Rryma - Lugina (Iv): 25µA,

Për të demluar
2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

aksione: 2518

Tensioni: 40V, Shpërndarja e energjisë (maksimumi): 300mW, Tensioni - Prodhimi: 11V, Tensioni - Kompensimi (Vt): 1.6V, Rrjedhja aktuale - Porta në anode (Igao): 10nA, Rryma - Lugina (Iv): 50µA,

Për të demluar
2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

aksione: 2522

Tensioni: 40V, Shpërndarja e energjisë (maksimumi): 300mW, Tensioni - Prodhimi: 11V, Tensioni - Kompensimi (Vt): 600mV, Rrjedhja aktuale - Porta në anode (Igao): 10nA, Rryma - Lugina (Iv): 25µA,

Për të demluar
2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

aksione: 2457

Tensioni: 40V, Shpërndarja e energjisë (maksimumi): 300mW, Tensioni - Prodhimi: 11V, Tensioni - Kompensimi (Vt): 1.6V, Rrjedhja aktuale - Porta në anode (Igao): 10nA, Rryma - Lugina (Iv): 50µA,

Për të demluar