Transistorët - IGBT - Të vetme

Infineon Technologies

92-0235

aksione: 6584

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 430V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A, Fuqia - Maks: 125W,

Për të demluar

Infineon Technologies

92-0065

aksione: 6576

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 31A, Fuqia - Maks: 160W,

Për të demluar

AUIRGS30B60KTRL

Infineon Technologies

AUIRGS30B60KTRL

aksione: 26291

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 78A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 370W,

Për të demluar

AUIRG4BC30USTRL

Infineon Technologies

AUIRG4BC30USTRL

aksione: 36699

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 23A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 92A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Fuqia - Maks: 100W,

Për të demluar

AUIRG4BC30SSTRL

Infineon Technologies

AUIRG4BC30SSTRL

aksione: 36716

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 34A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 68A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A, Fuqia - Maks: 100W,

Për të demluar

AUIRGS4062D1TRL

Infineon Technologies

AUIRGS4062D1TRL

aksione: 18059

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 59A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 72A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A, Fuqia - Maks: 246W,

Për të demluar

Infineon Technologies

AUIRGPS4070D0

aksione: 10054

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 240A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 360A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A, Fuqia - Maks: 750W,

Për të demluar

AIKW50N65DH5XKSA1

Infineon Technologies

AIKW50N65DH5XKSA1

aksione: 13988

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 270W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT85GR120L

aksione: 4352

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 170A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 340A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A, Fuqia - Maks: 962W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT64GA90B2D30

aksione: 5459

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 900V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 117A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 193A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A, Fuqia - Maks: 500W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT25GR120S

aksione: 8706

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 100A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Fuqia - Maks: 521W,

Për të demluar

APT35GP120B2DQ2G

Microsemi Corporation

APT35GP120B2DQ2G

aksione: 3425

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 96A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 140A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A, Fuqia - Maks: 543W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT30GP60BG

aksione: 6877

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 100A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 463W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT25GN120BG

aksione: 9003

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 67A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 75A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Fuqia - Maks: 272W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT50GR120B2

aksione: 6076

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 117A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 694W,

Për të demluar

APT50GT120B2RDLG

Microsemi Corporation

APT50GT120B2RDLG

aksione: 3743

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 106A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 694W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT80GA60B

aksione: 6029

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 143A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 240A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A, Fuqia - Maks: 625W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT36GA60BD15

aksione: 8494

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 65A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 109A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 290W,

Për të demluar

APT40GR120B2D30

Microsemi Corporation

APT40GR120B2D30

aksione: 5976

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 88A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 500W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT70GR120B2

aksione: 5872

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 160A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 280A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A, Fuqia - Maks: 961W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT70GR120L

aksione: 5006

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 160A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 280A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A, Fuqia - Maks: 961W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT70GR65B

aksione: 9503

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 134A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 260A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A, Fuqia - Maks: 595W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT40GR120S

aksione: 6836

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 88A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 500W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT50GN120B2G

aksione: 6219

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 134A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 543W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT35GP120BG

aksione: 4037

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 96A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 140A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A, Fuqia - Maks: 543W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT50GR120L

aksione: 7440

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 117A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 694W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT25GP120BG

aksione: 6960

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 69A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 90A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Fuqia - Maks: 417W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT13GP120BG

aksione: 10841

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 41A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 50A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, Fuqia - Maks: 250W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT68GA60B

aksione: 7230

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 121A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 202A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 520W,

Për të demluar

APT35GN120L2DQ2G

Microsemi Corporation

APT35GN120L2DQ2G

aksione: 5728

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 94A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 105A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, Fuqia - Maks: 379W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT15GT60BRG

aksione: 17440

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 42A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 45A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Fuqia - Maks: 184W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT50GS60BRDLG

aksione: 7256

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 93A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 195A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 415W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT100GN60B2G

aksione: 6392

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 229A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 300A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A, Fuqia - Maks: 625W,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT30GT60BRG

aksione: 10467

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 64A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 110A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 250W,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK20B120E1

aksione: 20878

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 333W,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK20B135D1

aksione: 18224

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1350V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 340W,

Për të demluar

3200

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»