Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - IGBT - Të vetme

IRG8CH137K10F
Infineon Technologies

IRG8CH137K10F

aksione: 3631

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A,

Për të demluar
IGC27T120T8LX1SA2
Infineon Technologies

IGC27T120T8LX1SA2

aksione: 116

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 75A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 25A,

Për të demluar
IRG8CH97K10F
Infineon Technologies

IRG8CH97K10F

aksione: 4862

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A,

Për të demluar
IGC18T120T8QX1SA1
Infineon Technologies

IGC18T120T8QX1SA1

aksione: 154

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 45A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 15A,

Për të demluar
IRG8CH50K10F
Infineon Technologies

IRG8CH50K10F

aksione: 8584

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A,

Për të demluar
IGC36T120T8LX1SA1
Infineon Technologies

IGC36T120T8LX1SA1

aksione: 99

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 105A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 35A,

Për të demluar
IKW40N65ES5XKSA1
Infineon Technologies

IKW40N65ES5XKSA1

aksione: 14683

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 79A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 230W,

Për të demluar
RJH60D5BDPQ-E0#T2
Renesas Electronics America

RJH60D5BDPQ-E0#T2

aksione: 13989

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 37A, Fuqia - Maks: 200W,

Për të demluar
RJH60F0DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJH60F0DPK-00#T0

aksione: 18399

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 25A, Fuqia - Maks: 201.6W,

Për të demluar
RJP60D0DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJP60D0DPK-00#T0

aksione: 22130

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 45A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A, Fuqia - Maks: 140W,

Për të demluar
IXGH4N250C
IXYS

IXGH4N250C

aksione: 4672

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 2500V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 13A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 46A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 4A, Fuqia - Maks: 150W,

Për të demluar
IXYL40N250CV1
IXYS

IXYL40N250CV1

aksione: 1018

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 2500V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 400A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 577W,

Për të demluar
IXYA8N90C3D1
IXYS

IXYA8N90C3D1

aksione: 20138

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 900V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 48A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A, Fuqia - Maks: 125W,

Për të demluar
IXGH28N120BD1
IXYS

IXGH28N120BD1

aksione: 5867

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 28A, Fuqia - Maks: 250W,

Për të demluar
IXGX75N250
IXYS

IXGX75N250

aksione: 965

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 2500V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 170A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 530A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A, Fuqia - Maks: 780W,

Për të demluar
IXBL64N250
IXYS

IXBL64N250

aksione: 1346

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 2500V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 116A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 750A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A, Fuqia - Maks: 500W,

Për të demluar
IXYX25N250CV1HV
IXYS

IXYX25N250CV1HV

aksione: 1951

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 2500V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 95A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 235A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Fuqia - Maks: 937W,

Për të demluar
IXGH48N60C3
IXYS

IXGH48N60C3

aksione: 12225

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 250A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 300W,

Për të demluar
STGP14NC60KD
STMicroelectronics

STGP14NC60KD

aksione: 45549

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 25A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 50A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A, Fuqia - Maks: 80W,

Për të demluar
STGWT80V60DF
STMicroelectronics

STGWT80V60DF

aksione: 8451

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 120A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 240A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A, Fuqia - Maks: 469W,

Për të demluar
STGWT80H65DFB
STMicroelectronics

STGWT80H65DFB

aksione: 9828

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 120A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 240A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Fuqia - Maks: 469W,

Për të demluar
STGWF30NC60S
STMicroelectronics

STGWF30NC60S

aksione: 19536

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 35A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 79W,

Për të demluar
STGFW30V60DF
STMicroelectronics

STGFW30V60DF

aksione: 17582

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 58W,

Për të demluar
STGB10NB37LZT4
STMicroelectronics

STGB10NB37LZT4

aksione: 53513

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 440V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 40A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A, Fuqia - Maks: 125W,

Për të demluar
STGB19NC60KDT4
STMicroelectronics

STGB19NC60KDT4

aksione: 27116

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 35A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 75A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A, Fuqia - Maks: 125W,

Për të demluar
STGF20NB60S
STMicroelectronics

STGF20NB60S

aksione: 24023

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 24A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 70A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 40W,

Për të demluar
STGW35NB60SD
STMicroelectronics

STGW35NB60SD

aksione: 12594

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 250A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 200W,

Për të demluar
STGB18N40LZT4
STMicroelectronics

STGB18N40LZT4

aksione: 81563

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 420V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 40A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A, Fuqia - Maks: 150W,

Për të demluar
NGTD14T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD14T65F2SWK

aksione: 43676

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A,

Për të demluar
FGA25N120ANTDTU
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU

aksione: 13542

Lloji IGBT: NPT and Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 90A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 312W,

Për të demluar
FGH30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGH30N60LSDTU

aksione: 7369

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 90A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 480W,

Për të demluar
RGTH40TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTH40TS65DGC11

aksione: 25319

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 144W,

Për të demluar
RGTH00TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTH00TS65DGC11

aksione: 14392

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 85A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 277W,

Për të demluar
RGPR30NS40HRTL
Rohm Semiconductor

RGPR30NS40HRTL

aksione: 77

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 430V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Fuqia - Maks: 125W,

Për të demluar
RGW60TK65GVC11
Rohm Semiconductor

RGW60TK65GVC11

aksione: 110

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 33A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 72W,

Për të demluar
MGD623N
Sanken

MGD623N

aksione: 30626

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 100A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 150W,

Për të demluar