Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - IGBT - Të vetme

IXYP50N65C3
IXYS

IXYP50N65C3

aksione: 10758

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 130A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 250A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A, Fuqia - Maks: 600W,

Për të demluar
IXGH120N30B3
IXYS

IXGH120N30B3

aksione: 12088

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 300V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 480A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 120A, Fuqia - Maks: 540W,

Për të demluar
IXGH48N60A3
IXYS

IXGH48N60A3

aksione: 14637

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 120A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 300A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A, Fuqia - Maks: 300W,

Për të demluar
IXYH100N65A3
IXYS

IXYH100N65A3

aksione: 196

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 240A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 480A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A, Fuqia - Maks: 470W,

Për të demluar
IXGF20N250
IXYS

IXGF20N250

aksione: 2052

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 2500V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 23A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 105A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 100W,

Për të demluar
IXDH20N120
IXYS

IXDH20N120

aksione: 10873

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 38A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 50A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 200W,

Për të demluar
IXGT32N170A
IXYS

IXGT32N170A

aksione: 4029

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 32A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 110A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 21A, Fuqia - Maks: 350W,

Për të demluar
IXGK400N30B3
IXYS

IXGK400N30B3

aksione: 4517

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 300V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 400A,

Për të demluar
IXDH35N60B
IXYS

IXDH35N60B

aksione: 11658

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 70A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 35A, Fuqia - Maks: 250W,

Për të demluar
IXXH50N60B3
IXYS

IXXH50N60B3

aksione: 10008

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 120A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A, Fuqia - Maks: 600W,

Për të demluar
IXDR30N120
IXYS

IXDR30N120

aksione: 7077

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 60A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 200W,

Për të demluar
IXGH17N100
IXYS

IXGH17N100

aksione: 8133

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1000V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 34A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 68A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 17A, Fuqia - Maks: 150W,

Për të demluar
IXBH32N300
IXYS

IXBH32N300

aksione: 1748

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 3000V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 280A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A, Fuqia - Maks: 400W,

Për të demluar
STGB30V60F
STMicroelectronics

STGB30V60F

aksione: 48382

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 260W,

Për të demluar
STGP7H60DF
STMicroelectronics

STGP7H60DF

aksione: 44131

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 14A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 28A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A, Fuqia - Maks: 88W,

Për të demluar
STGWA15H120DF2
STMicroelectronics

STGWA15H120DF2

aksione: 10561

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 60A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A, Fuqia - Maks: 259W,

Për të demluar
STGB20V60F
STMicroelectronics

STGB20V60F

aksione: 43379

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 167W,

Për të demluar
STGW60H65DF
STMicroelectronics

STGW60H65DF

aksione: 7827

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 120A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 240A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A, Fuqia - Maks: 360W,

Për të demluar
STGWT60H65FB
STMicroelectronics

STGWT60H65FB

aksione: 13226

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 240A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Fuqia - Maks: 375W,

Për të demluar
STGW40H60DLFB
STMicroelectronics

STGW40H60DLFB

aksione: 18265

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 283W,

Për të demluar
STGF7NC60HD
STMicroelectronics

STGF7NC60HD

aksione: 44663

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 50A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A, Fuqia - Maks: 25W,

Për të demluar
FGH60N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH60N60SFDTU

aksione: 22935

Lloji IGBT: Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 120A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 180A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Fuqia - Maks: 378W,

Për të demluar
FGD3325G2-F085
ON Semiconductor

FGD3325G2-F085

aksione: 256

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 250V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 41A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Fuqia - Maks: 150W,

Për të demluar
NGTB15N60R2FG
ON Semiconductor

NGTB15N60R2FG

aksione: 62700

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 24A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 60A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Fuqia - Maks: 54W,

Për të demluar
NGTD17T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD17T65F2WP

aksione: 37370

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A,

Për të demluar
NGTB40N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N65FL2WG

aksione: 18097

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 366W,

Për të demluar
FGH60T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH60T65SQD-F155

aksione: 2512

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 120A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 240A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A, Fuqia - Maks: 333W,

Për të demluar
IKW15N120T2FKSA1
Infineon Technologies

IKW15N120T2FKSA1

aksione: 13910

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 60A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Fuqia - Maks: 235W,

Për të demluar
IHW40N60RFFKSA1
Infineon Technologies

IHW40N60RFFKSA1

aksione: 2409

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 305W,

Për të demluar
IKZ75N65ES5XKSA1
Infineon Technologies

IKZ75N65ES5XKSA1

aksione: 12787

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 300A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A, Fuqia - Maks: 395W,

Për të demluar
IGW75N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IGW75N65H5XKSA1

aksione: 14720

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 120A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 300A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Fuqia - Maks: 395W,

Për të demluar
IKB06N60TATMA1
Infineon Technologies

IKB06N60TATMA1

aksione: 76778

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 12A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 18A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A, Fuqia - Maks: 88W,

Për të demluar
IKW40N60DTPXKSA1
Infineon Technologies

IKW40N60DTPXKSA1

aksione: 16131

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 67A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 246W,

Për të demluar
IRGP4650DPBF
Infineon Technologies

IRGP4650DPBF

aksione: 10313

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 76A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 105A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 35A, Fuqia - Maks: 268W,

Për të demluar
NGD8205ANT4G
Littelfuse Inc.

NGD8205ANT4G

aksione: 93968

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 390V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 50A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Fuqia - Maks: 125W,

Për të demluar
RGTH80TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGTH80TS65GC11

aksione: 1596

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 234W,

Për të demluar