Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

Shtëpi
Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

EPC2001

aksione: 18487

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

Listoj

EPC2049ENGRT

aksione: 4397

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 15A, 5V,

Listoj

EPC2021

aksione: 14286

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 90A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 29A, 5V,

Listoj

EPC2025

aksione: 1945

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 300V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3A, 5V,

Listoj

EPC2031

aksione: 8638

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

Listoj

EPC2018

aksione: 8926

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 150V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

Listoj

EPC2016

aksione: 50068

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 5V,

Listoj

EPC2051ENGRT

aksione: 10801

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.7A, Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 5V,

Listoj

EPC8004

aksione: 28614

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 5V,

Listoj

EPC8009

aksione: 27880

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 65V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 500mA, 5V,

Listoj

EPC2030ENGRT

aksione: 16295

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

Listoj

EPC2007

aksione: 69589

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 5V,

Listoj

EPC2015

aksione: 18703

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V,

Listoj

EPC2031ENGRT

aksione: 17048

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

Listoj

EPC2012

aksione: 54098

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3A, 5V,

Listoj

EPC2010

aksione: 9929

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

Listoj

EPC2022

aksione: 14027

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 5V,

Listoj

EPC2024

aksione: 14687

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 37A, 5V,

Listoj

EPC2033

aksione: 13722

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 150V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

Listoj

EPC2032

aksione: 16483

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 48A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 5V,

Listoj

EPC2020

aksione: 14515

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 90A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 31A, 5V,

Listoj

EPC2029

aksione: 16856

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 48A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 5V,

Listoj

EPC2034

aksione: 7981

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 48A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 5V,

Listoj

EPC2035

aksione: 195456

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 1A, 5V,

Listoj

EPC2023

aksione: 18953

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 40A, 5V,

Listoj

EPC2015C

aksione: 30169

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 53A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V,

Listoj

EPC2014

aksione: 74091

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 5V,

Listoj

EPC2030

aksione: 22960

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

Listoj

EPC8010

aksione: 46864

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V,

Listoj

EPC2045ENGRT

aksione: 26260

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 5V,

Listoj

EPC2010C

aksione: 17919

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 5V,

Listoj

EPC2012C

aksione: 54040

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3A, 5V,

Listoj

EPC2001C

aksione: 31126

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

Listoj

EPC2202

aksione: 48425

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 18A, Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11A, 5V,

Listoj

EPC2019

aksione: 37744

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7A, 5V,

Listoj

EPC2007C

aksione: 74756

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 5V,

Listoj

45

«
1
2
»