Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

Shtëpi
Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

TP2540N3-G-P002

Microchip Technology

TP2540N3-G-P002

aksione: 65888

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 400V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 86mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN10KN3-G-P003

aksione: 174415

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 310mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

LND150N3-G-P002

Microchip Technology

LND150N3-G-P002

aksione: 183557

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 30mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Listoj

TN0604N3-G-P005

Microchip Technology

TN0604N3-G-P005

aksione: 87196

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 700mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

MCP87055T-U/LC

aksione: 166136

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj

TN0620N3-G-P014

Microchip Technology

TN0620N3-G-P014

aksione: 71164

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 250mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN2410L-G-P014

aksione: 96918

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 240V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 190mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TN2124K1-G

aksione: 145383

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 240V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 134mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 3V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 120mA, 4.5V,

Listoj

Microchip Technology

VP2450N8-G

aksione: 58167

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 160mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TP2522N8-G

aksione: 71202

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 220V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 260mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TN5335K1-G

aksione: 124592

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 350V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 110mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TP5322N8-G

aksione: 145311

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 220V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 260mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

DN3535N8-G

aksione: 136838

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 350V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 230mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 0V,

Listoj

TP0606N3-G-P002

Microchip Technology

TP0606N3-G-P002

aksione: 102565

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 320mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TN5325N8-G

aksione: 158539

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 250V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 316mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

Listoj

TN5325N3-G-P002

Microchip Technology

TN5325N3-G-P002

aksione: 145391

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 250V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 215mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

Listoj

TP0606N3-G-P003

Microchip Technology

TP0606N3-G-P003

aksione: 102649

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 320mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TP2510N8-G

aksione: 81155

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 480mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TN0106N3-G

aksione: 93893

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TP0604N3-G

aksione: 57712

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 430mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN3205N3-G

aksione: 56360

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 50V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN4012L-G

aksione: 47260

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 400V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 160mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Listoj

Microchip Technology

VP2206N2

aksione: 5360

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 750mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TP2540N3-G

aksione: 52692

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 400V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 86mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

DN3545N3-G

aksione: 104685

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 450V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 136mA, Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 0V,

Listoj

Microchip Technology

TP2640N3-G

aksione: 45489

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 400V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 180mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TN0610N3-G

aksione: 73267

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TP0620N3-G

aksione: 52772

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 175mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN2450N3-G

aksione: 64862

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 400mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TP2635N3-G

aksione: 47311

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 350V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 180mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN0606L-G

aksione: 62684

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 330mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN2460N3-G

aksione: 62683

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 160mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN0808L-G

aksione: 62599

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 300mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TN0606N3-G

aksione: 93941

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VP2450N3-G

aksione: 46076

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

DN2540N5-G

aksione: 53451

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 400V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Listoj

185

«
1
2
3
4
5
6
»