Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

Shtëpi
Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

Microchip Technology

VP0104N3-G

aksione: 97651

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 250mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN2210N2

aksione: 5656

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 4A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

DN2535N5-G

aksione: 55532

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 350V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Listoj

Microchip Technology

VP3203N3-G

aksione: 50933

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 650mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN2410L-G

aksione: 80527

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 240V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 190mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN1206L-G

aksione: 46073

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 120V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 230mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VP0808L-G

aksione: 48896

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 280mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN10KN3-G

aksione: 155843

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 310mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TN2640N3-G

aksione: 48844

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 400V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 220mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VP0109N3-G

aksione: 85226

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 90V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 250mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TN0620N3-G

aksione: 57680

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 250mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

LP0701N3-G

aksione: 50856

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 16.5V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 300mA, 5V,

Listoj

Microchip Technology

TP2535N3-G

aksione: 55067

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 350V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 86mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

DN2535N3-G

aksione: 103180

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 350V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 120mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Listoj

Microchip Technology

VP0106N3-G

aksione: 93914

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 250mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VP0550N3-G

aksione: 42651

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 54mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 Ohm @ 10mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN2224N3-G

aksione: 5195

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 240V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 540mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN2406L-G

aksione: 50949

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 240V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 190mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TN0110N3-G

aksione: 80557

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TN2540N3-G

aksione: 60070

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 400V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 175mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TP0606N3-G

aksione: 85187

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 320mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TN2106N3-G

aksione: 138203

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 300mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN0300L-G

aksione: 66028

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 640mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN0106N3-G

aksione: 114421

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VP2206N3-G

aksione: 36646

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 640mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TN0104N3-G

aksione: 80546

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN0550N3-G

aksione: 50942

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 50mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 50mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

VN2210N3-G

aksione: 37833

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 4A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TP2104N3-G

aksione: 120130

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 175mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Listoj

Microchip Technology

DN2530N3-G

aksione: 118177

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 300V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 175mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 150mA, 0V,

Listoj

Microchip Technology

VN0109N3-G

aksione: 111017

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 90V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

TN5325N3-G

aksione: 126306

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 250V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 215mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

LND150N3-G

aksione: 155894

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 30mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Listoj

Microchip Technology

DN2450K4-G

aksione: 146586

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 300mA, 0V,

Listoj

Microchip Technology

VN0104N3-G

aksione: 120143

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Listoj

Microchip Technology

MIC94031CYW

aksione: 2194

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 16V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

Listoj

185

«
1
2
3
4
5
6
»