Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

Shtëpi
Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

ON Semiconductor

FDD6780

aksione: 569

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 16.5A (Ta), 30A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 16.5A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTR1P02T3

aksione: 328

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD32N06-1G

aksione: 357

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 16A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD6600N

aksione: 317

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V,

Listoj

ON Semiconductor

NTJS3151PT2

aksione: 364

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

Listoj

ON Semiconductor

NTHD5904NT1

aksione: 354

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

Listoj

ON Semiconductor

FDB8453LZ

aksione: 432

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 16.1A (Ta), 50A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 17.6A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTMFS4839NT3G

aksione: 6095

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), 64A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTLJS2103PTAG

aksione: 522

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V,

Listoj

ON Semiconductor

FQB5N90TM

aksione: 60182

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 900V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 2.7A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTMFS4708NT3G

aksione: 312

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11.5A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD3817NT4G

aksione: 563

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 16V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTHS4501NT1

aksione: 390

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.9A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 4.9A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

FDPF7N50U

aksione: 418

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTS4101PT1

aksione: 382

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.37A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4.5V,

Listoj

ON Semiconductor

NTP2955

aksione: 317

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196 mOhm @ 12A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

FDD6N50FTF

aksione: 421

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 Ohm @ 2.75A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTJS4405NT4G

aksione: 337

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Listoj

ON Semiconductor

NTP35N15G

aksione: 6031

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 150V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 37A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18.5A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD4860NAT4G

aksione: 547

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 10.4A (Ta), 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD4857NT4G

aksione: 538

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 78A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTY100N10

aksione: 321

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 123A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD50N03R-035

aksione: 306

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), 45A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 11.5V,

Listoj

ON Semiconductor

NTMS4706NR2

aksione: 323

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.4A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10.3A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD60N02RG

aksione: 320

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD4858N-1G

aksione: 474

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 11.2A (Ta), 73A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD4863N-35G

aksione: 486

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Ta), 49A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD4809NA-1G

aksione: 454

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD3055L170G

aksione: 308

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 4.5A, 5V,

Listoj

ON Semiconductor

NTB5605T4G

aksione: 524

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 18.5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 8.5A, 5V,

Listoj

ON Semiconductor

FDZ4670

aksione: 387

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 25A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD4302

aksione: 276

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8.4A (Ta), 68A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD4813NH-35G

aksione: 444

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), 40A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD3817N-35G

aksione: 519

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 16V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTLGF3501NT1G

aksione: 338

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V,

Listoj

ON Semiconductor

NTHD3133PFT1G

aksione: 538

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Tj), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Listoj

3600

«
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
»