Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar, Para-An

  • Shtëpi
  •  
  • Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar, Para-An
MMUN2233LT1
ON Semiconductor

MMUN2233LT1

aksione: 2274

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
FJN3309RTA
ON Semiconductor

FJN3309RTA

aksione: 2252

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj
FJN4304RTA
ON Semiconductor

FJN4304RTA

aksione: 3276

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Listoj
DTC143TM3T5G
ON Semiconductor

DTC143TM3T5G

aksione: 134422

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Listoj
FJNS4201RTA
ON Semiconductor

FJNS4201RTA

aksione: 2333

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Listoj
NSVDTA114YM3T5G
ON Semiconductor

NSVDTA114YM3T5G

aksione: 134592

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
FJN4305RBU
ON Semiconductor

FJN4305RBU

aksione: 2291

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Listoj
FJNS3208RBU
ON Semiconductor

FJNS3208RBU

aksione: 2260

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Listoj
FJNS4213RTA
ON Semiconductor

FJNS4213RTA

aksione: 2242

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Listoj
FJNS4210RTA
ON Semiconductor

FJNS4210RTA

aksione: 2338

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj
FJN4308RTA
ON Semiconductor

FJN4308RTA

aksione: 2272

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Listoj
FJN3307RTA
ON Semiconductor

FJN3307RTA

aksione: 2234

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Listoj
DTC144TT1
ON Semiconductor

DTC144TT1

aksione: 2276

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Listoj
FJN4307RBU
ON Semiconductor

FJN4307RBU

aksione: 2294

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Listoj
DTA144WET1
ON Semiconductor

DTA144WET1

aksione: 2240

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
FJN3311RTA
ON Semiconductor

FJN3311RTA

aksione: 2240

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj
FJNS3213RBU
ON Semiconductor

FJNS3213RBU

aksione: 2301

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Listoj
FJNS4206RBU
ON Semiconductor

FJNS4206RBU

aksione: 2331

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Listoj
FJNS3206RBU
ON Semiconductor

FJNS3206RBU

aksione: 2252

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Listoj
DTA123EM3T5G
ON Semiconductor

DTA123EM3T5G

aksione: 125682

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 2.2 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Listoj
FJNS4203RBU
ON Semiconductor

FJNS4203RBU

aksione: 2334

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Listoj
FJV4110RMTF
ON Semiconductor

FJV4110RMTF

aksione: 2282

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj
FJNS4212RBU
ON Semiconductor

FJNS4212RBU

aksione: 2265

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj
MMUN2212LT1
ON Semiconductor

MMUN2212LT1

aksione: 2258

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Listoj
MUN5140T1G
ON Semiconductor

MUN5140T1G

aksione: 138342

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V,

Listoj
FJNS4213RBU
ON Semiconductor

FJNS4213RBU

aksione: 2325

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Listoj
FJN3309RBU
ON Semiconductor

FJN3309RBU

aksione: 2289

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj
FJN4313RTA
ON Semiconductor

FJN4313RTA

aksione: 2226

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Listoj
DTC144TET1G
ON Semiconductor

DTC144TET1G

aksione: 113567

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V,

Listoj
MUN2136T1
ON Semiconductor

MUN2136T1

aksione: 3271

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 100 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 100 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
FJNS4205RBU
ON Semiconductor

FJNS4205RBU

aksione: 2250

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Listoj
DTA144TT1
ON Semiconductor

DTA144TT1

aksione: 2278

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBC114EF3T5G
ON Semiconductor

NSBC114EF3T5G

aksione: 140567

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Listoj
FJV3109RMTF
ON Semiconductor

FJV3109RMTF

aksione: 2278

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Listoj
FJNS4205RTA
ON Semiconductor

FJNS4205RTA

aksione: 2275

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Listoj
FJX3008RTF
ON Semiconductor

FJX3008RTF

aksione: 179814

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Listoj