Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Vargjet, Para-

  • Shtëpi
  •  
  • Transistorët - Bipolar (BJT) - Vargjet, Para-
NSBC143TPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC143TPDXV6T5G

aksione: 1450

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSVB143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB143ZPDXV6T1G

aksione: 196250

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBA114EDXV6T5
ON Semiconductor

NSBA114EDXV6T5

aksione: 1412

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBA114EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA114EDP6T5G

aksione: 120046

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Listoj
MUN5311DW1T2G
ON Semiconductor

MUN5311DW1T2G

aksione: 169851

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBC124XDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC124XDXV6T1G

aksione: 13291

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBC143EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143EDP6T5G

aksione: 175541

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBA143ZDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA143ZDXV6T5G

aksione: 1440

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSM46211DW6T1G
ON Semiconductor

NSM46211DW6T1G

aksione: 1520

Lloji i tranzitorit: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, 65V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 200 @ 2mA, 5V,

Listoj
SMUN5314DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5314DW1T1G

aksione: 107762

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBC114YDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T1

aksione: 1455

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSVMUN5332DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5332DW1T3G

aksione: 126748

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBA114TDXV6T5
ON Semiconductor

NSBA114TDXV6T5

aksione: 1453

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Listoj
MUN5216DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5216DW1T1G

aksione: 145375

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBC124EPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EPDP6T5G

aksione: 102255

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Listoj
MUN5216DW1T1
ON Semiconductor

MUN5216DW1T1

aksione: 1438

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T1G

aksione: 154023

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBC123JDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC123JDXV6T5

aksione: 1465

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSVB124XPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB124XPDXV6T1G

aksione: 133175

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBA113EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1G

aksione: 168681

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 1 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 1 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Listoj
MUN5113DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5113DW1T1G

aksione: 163385

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
EMC5DXV5T1
ON Semiconductor

EMC5DXV5T1

aksione: 3198

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Listoj
SMUN5315DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5315DW1T1G

aksione: 151022

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5111DW1T1G

aksione: 182502

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T5G

aksione: 152242

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBC114EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114EPDXV6T1

aksione: 1506

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBC144EPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T5G

aksione: 158937

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSM21356DW6T1G
ON Semiconductor

NSM21356DW6T1G

aksione: 1509

Lloji i tranzitorit: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, 65V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

Listoj
UMC3NT1G
ON Semiconductor

UMC3NT1G

aksione: 190376

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Listoj
SMUN5237DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5237DW1T1G

aksione: 103555

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114EDXV6T1G

aksione: 136254

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Listoj
IMD10AMT1G
ON Semiconductor

IMD10AMT1G

aksione: 131028

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 13 kOhms, 130 Ohms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V,

Listoj
EMF18XV6T5G
ON Semiconductor

EMF18XV6T5G

aksione: 145445

Lloji i tranzitorit: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, 60V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V,

Listoj
NSVMUN5333DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5333DW1T1G

aksione: 176542

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
MUN5336DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5336DW1T1G

aksione: 115654

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 100 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 100 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Listoj
NSBC114EPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EPDXV6T5G

aksione: 179087

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Listoj