Transistorët - IGBT - Të vetme | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 15

FGA6540WDF

aksione: 25417

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 238W,

Listoj

ON Semiconductor

NGTB40N120IHRWG

aksione: 14109

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 384W,

Listoj

ON Semiconductor

HGTG5N120BND

aksione: 23888

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 21A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 40A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A, Fuqia - Maks: 167W,

Listoj

ON Semiconductor

FGH50N3

aksione: 11903

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 300V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 240A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 463W,

Listoj

ON Semiconductor

FGP10N60UNDF

aksione: 36448

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 30A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A, Fuqia - Maks: 139W,

Listoj

ON Semiconductor

NGTB35N65FL2WG

aksione: 33687

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Fuqia - Maks: 300W,

Listoj

ON Semiconductor

FGAF40N60UFTU

aksione: 35991

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 100W,

Listoj

ON Semiconductor

ISL9V5045S3ST

aksione: 36869

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 480V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 51A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A, Fuqia - Maks: 300W,

Listoj

ON Semiconductor

FGH40T65UQDF-F155

aksione: 2159

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 231W,

Listoj

ON Semiconductor

FGB3440G2-F085

aksione: 4330

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 26.9A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.2V @ 4V, 6A, Fuqia - Maks: 166W,

Listoj

ON Semiconductor

HGTG20N60A4D

aksione: 14369

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 280A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 290W,

Listoj

ON Semiconductor

FGH40N60SFDTU-F085

aksione: 2934

Lloji IGBT: Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 290W,

Listoj

ON Semiconductor

FGA50N100BNTD2

aksione: 8702

Lloji IGBT: NPT and Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1000V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Fuqia - Maks: 156W,

Listoj

ON Semiconductor

FGB3236-F085

aksione: 349

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 360V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 44A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 4V, 6A, Fuqia - Maks: 187W,

Listoj

ON Semiconductor

FGAF40N60UFDTU

aksione: 19234

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 100W,

Listoj

ON Semiconductor

NGTB50N60L2WG

aksione: 9959

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 500W,

Listoj

ON Semiconductor

FGB3245G2-F085

aksione: 305

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 450V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 23A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Fuqia - Maks: 150W,

Listoj

ON Semiconductor

NGTD20T120F2WP

aksione: 31770

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 100A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A,

Listoj

ON Semiconductor

NGTG12N60TF1G

aksione: 49912

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 24A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 88A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 12A, Fuqia - Maks: 54W,

Listoj

ON Semiconductor

FGH40N120ANTU

aksione: 13888

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 64A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 417W,

Listoj

ON Semiconductor

NGTB20N120IHRWG

aksione: 15535

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 384W,

Listoj

ON Semiconductor

FGY75N60SMD

aksione: 11749

Lloji IGBT: Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 225A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A, Fuqia - Maks: 750W,

Listoj

ON Semiconductor

NGTD17T65F2SWK

aksione: 36619

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A,

Listoj

ON Semiconductor

FGB20N60SF

aksione: 45142

Lloji IGBT: Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 60A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 208W,

Listoj

ON Semiconductor

HGTP12N60A4D

aksione: 43378

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 54A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 96A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Fuqia - Maks: 167W,

Listoj

ON Semiconductor

FGP15N60UNDF

aksione: 27550

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 45A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A, Fuqia - Maks: 178W,

Listoj

ON Semiconductor

NGTB30N120FL2WG

aksione: 9534

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 452W,

Listoj

ON Semiconductor

FGH40N60SFTU

aksione: 16170

Lloji IGBT: Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 290W,

Listoj

ON Semiconductor

ISL9V3040S3ST

aksione: 58672

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 430V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 21A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Fuqia - Maks: 150W,

Listoj

ON Semiconductor

FGA40N65SMD

aksione: 32540

Lloji IGBT: Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 349W,

Listoj

ON Semiconductor

FGH50N6S2D

aksione: 8377

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 240A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 463W,

Listoj

ON Semiconductor

HGTG27N120BN

aksione: 15836

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 72A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 216A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A, Fuqia - Maks: 500W,

Listoj

ON Semiconductor

NGTB30N120IHRWG

aksione: 20044

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 384W,

Listoj

ON Semiconductor

HGTG10N120BND

aksione: 19849

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 35A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Fuqia - Maks: 298W,

Listoj

ON Semiconductor

FGH40N60UFTU

aksione: 32584

Lloji IGBT: Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 290W,

Listoj

ON Semiconductor

FGA50T65SHD

aksione: 20124

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 319W,

Listoj