Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar

  • Shtëpi
  •  
  • Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar
BC857CLT1G
ON Semiconductor

BC857CLT1G

aksione: 144772

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC856BLT3G
ON Semiconductor

BC856BLT3G

aksione: 192995

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Listoj
BCW72LT1G
ON Semiconductor

BCW72LT1G

aksione: 127727

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Listoj
BCX17LT1G
ON Semiconductor

BCX17LT1G

aksione: 153101

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Listoj
BC847BLT3G
ON Semiconductor

BC847BLT3G

aksione: 188522

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC847BTT1G
ON Semiconductor

BC847BTT1G

aksione: 162013

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC848CLT1G
ON Semiconductor

BC848CLT1G

aksione: 120126

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Listoj
BCP56T3G
ON Semiconductor

BCP56T3G

aksione: 129944

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Listoj
BC33725TA
ON Semiconductor

BC33725TA

aksione: 179232

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Listoj
BCP56T1G
ON Semiconductor

BCP56T1G

aksione: 135251

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Listoj
BCP56-16T1G
ON Semiconductor

BCP56-16T1G

aksione: 122852

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Listoj
BC858CLT1G
ON Semiconductor

BC858CLT1G

aksione: 112565

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC817-16LT1G
ON Semiconductor

BC817-16LT1G

aksione: 192502

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Listoj
BC817-40LT1G
ON Semiconductor

BC817-40LT1G

aksione: 134966

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Listoj
BCP56-16T3G
ON Semiconductor

BCP56-16T3G

aksione: 138193

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Listoj
BC847CWT1G
ON Semiconductor

BC847CWT1G

aksione: 162404

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC807-25LT1G
ON Semiconductor

BC807-25LT1G

aksione: 131089

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Listoj
BD440S
ON Semiconductor

BD440S

aksione: 178868

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

Listoj
BC807-40LT1G
ON Semiconductor

BC807-40LT1G

aksione: 110095

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Listoj
BC856BLT1G
ON Semiconductor

BC856BLT1G

aksione: 186203

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC850CLT1G
ON Semiconductor

BC850CLT1G

aksione: 182653

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC846ALT1G
ON Semiconductor

BC846ALT1G

aksione: 195525

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Listoj
BCP53-16T1G
ON Semiconductor

BCP53-16T1G

aksione: 141436

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Listoj
BD13710STU
ON Semiconductor

BD13710STU

aksione: 125375

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Listoj
BC847ALT1G
ON Semiconductor

BC847ALT1G

aksione: 113436

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Listoj
BCW33LT3G
ON Semiconductor

BCW33LT3G

aksione: 187204

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 32V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Listoj
BD244BTU
ON Semiconductor

BD244BTU

aksione: 111916

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 6A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 700µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Listoj
BD435STU
ON Semiconductor

BD435STU

aksione: 180381

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 32V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

Listoj
BD436S
ON Semiconductor

BD436S

aksione: 101410

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 32V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

Listoj
BD435S
ON Semiconductor

BD435S

aksione: 112033

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 32V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

Listoj
BC857BLT1G
ON Semiconductor

BC857BLT1G

aksione: 144913

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC847CLT1G
ON Semiconductor

BC847CLT1G

aksione: 138336

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC847BLT1G
ON Semiconductor

BC847BLT1G

aksione: 131059

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC846BLT1G
ON Semiconductor

BC846BLT1G

aksione: 170160

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC846BLT3G
ON Semiconductor

BC846BLT3G

aksione: 144911

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Listoj
BCX70J
ON Semiconductor

BCX70J

aksione: 101485

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 20nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

Listoj