Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar

  • Shtëpi
  •  
  • Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar
MJE5731G
ON Semiconductor

MJE5731G

aksione: 64851

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 350V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Listoj
FJPF5027RTU
ON Semiconductor

FJPF5027RTU

aksione: 73294

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 800V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V,

Listoj
FJP3305H1TU
ON Semiconductor

FJP3305H1TU

aksione: 120090

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Listoj
MBT35200MT1G
ON Semiconductor

MBT35200MT1G

aksione: 139320

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 35V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V,

Listoj
FSB619
ON Semiconductor

FSB619

aksione: 110044

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 320mV @ 50mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Listoj
MJD117G
ON Semiconductor

MJD117G

aksione: 116274

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 20µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

Listoj
MJE210G
ON Semiconductor

MJE210G

aksione: 135695

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

Listoj
TIP49
ON Semiconductor

TIP49

aksione: 149064

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 350V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Listoj
NJL0281DG
ON Semiconductor

NJL0281DG

aksione: 619

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 15A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 260V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Listoj
TIP48TU
ON Semiconductor

TIP48TU

aksione: 107718

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 300V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Listoj
MJE18004G
ON Semiconductor

MJE18004G

aksione: 76319

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 450V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V,

Listoj
KSH45H11ITU
ON Semiconductor

KSH45H11ITU

aksione: 79596

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Listoj
MJE15034G
ON Semiconductor

MJE15034G

aksione: 53158

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 350V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

Listoj
KSD560YTU
ON Semiconductor

KSD560YTU

aksione: 198881

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V,

Listoj
MJW21194G
ON Semiconductor

MJW21194G

aksione: 17058

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 16A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 250V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V,

Listoj
KSA940TU
ON Semiconductor

KSA940TU

aksione: 109330

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V,

Listoj
MJE5730G
ON Semiconductor

MJE5730G

aksione: 60116

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 300V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Listoj
MJF127G
ON Semiconductor

MJF127G

aksione: 71822

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V,

Listoj
NSV1C300ET4G-VF01
ON Semiconductor

NSV1C300ET4G-VF01

aksione: 184012

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

Listoj
MMBT2222AWT1G
ON Semiconductor

MMBT2222AWT1G

aksione: 152799

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Listoj
FJP13007TU
ON Semiconductor

FJP13007TU

aksione: 187511

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V,

Listoj
TIP126G
ON Semiconductor

TIP126G

aksione: 103178

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V,

Listoj
NSS20300MR6T1G
ON Semiconductor

NSS20300MR6T1G

aksione: 152698

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V,

Listoj
TIP32AG
ON Semiconductor

TIP32AG

aksione: 140853

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 300µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Listoj
FSB660A
ON Semiconductor

FSB660A

aksione: 156379

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

Listoj
MMBT3904LT3G
ON Semiconductor

MMBT3904LT3G

aksione: 154147

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Listoj
NJVMJD112G
ON Semiconductor

NJVMJD112G

aksione: 160646

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 20µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

Listoj
D45H11G
ON Semiconductor

D45H11G

aksione: 81457

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Listoj
TIP31CTU
ON Semiconductor

TIP31CTU

aksione: 109314

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 300µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Listoj
MJB45H11G
ON Semiconductor

MJB45H11G

aksione: 62657

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Listoj
KSC5021RTU
ON Semiconductor

KSC5021RTU

aksione: 114424

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 500V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V,

Listoj
NJW21193G
ON Semiconductor

NJW21193G

aksione: 26256

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 16A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 250V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V,

Listoj
MJD2955G
ON Semiconductor

MJD2955G

aksione: 114475

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Listoj
MJW21195G
ON Semiconductor

MJW21195G

aksione: 17586

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 16A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 250V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V,

Listoj
MJW18020G
ON Semiconductor

MJW18020G

aksione: 10336

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 450V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4A, 20A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 3A, 5V,

Listoj
NZT605
ON Semiconductor

NZT605

aksione: 157539

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 110V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V,

Listoj