Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - IGBT - Të vetme

  • Shtëpi
  •  
  • Transistorët - IGBT - Të vetme
GT60N321(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT60N321(Q)

aksione: 6662

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1000V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A, Fuqia - Maks: 170W,

Listoj
GT50J121(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT50J121(Q)

aksione: 6662

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 100A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 240W,

Listoj
GT8G133(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT8G133(TE12L,Q)

aksione: 6700

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A, Fuqia - Maks: 600mW,

Listoj
GT10G131(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT10G131(TE12L,Q)

aksione: 6737

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V, 200A, Fuqia - Maks: 1W,

Listoj
GT10J312(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT10J312(Q)

aksione: 6730

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 20A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Fuqia - Maks: 60W,

Listoj