Diodat - Ndreqësit - Një | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 100

BYM12-300HE3_A/H

aksione: 273

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 300V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 50ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-200HE3/97

aksione: 146674

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 150ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-800-E3/96

aksione: 150291

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 500ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TAP

aksione: 108452

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 150mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 250mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT81S-TAP

aksione: 154468

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 30mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 15mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TR

aksione: 158822

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 30mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 15mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20-TAP

aksione: 159155

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 250mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 100mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 50ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TR

aksione: 197051

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 150mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 10mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TR

aksione: 122405

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 900mV @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TR

aksione: 119842

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 100mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 200mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAY135-TAP

aksione: 148532

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 125V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 30mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT83S-TAP

aksione: 128512

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 30mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 15mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TAP

aksione: 196580

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 100mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 200mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TR

aksione: 102104

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 15mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 5ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TAP

aksione: 107935

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 900mV @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TR

aksione: 101978

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 250mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 100mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 50ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS33-TAP

aksione: 109507

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT85S-TR

aksione: 182695

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 800mV @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 5ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TAP

aksione: 142042

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 250mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 100mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 50ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS34-TR

aksione: 194217

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TAP

aksione: 116168

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 15mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 5ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TAP

aksione: 118002

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 250mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 100mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 50ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42-TAP

aksione: 110674

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 650mV @ 50mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 5ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TAP

aksione: 116604

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 30mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 15mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19-TAP

aksione: 189935

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 250mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 100mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 50ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TR

aksione: 111895

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 250mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 100mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 50ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS581-02V-V-G-08

aksione: 123251

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 370mV @ 1mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-02V-V-G-08

aksione: 184839

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 800mV @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 5ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR

aksione: 175613

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 25ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/I

aksione: 130523

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.6V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 120ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/H

aksione: 112559

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.4V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 75ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-E3/TR3

aksione: 191280

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 25ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR3

aksione: 131337

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR

aksione: 166092

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/I

aksione: 116282

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/I

aksione: 173970

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.4V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 75ns,

Listoj