Diodat - Ndreqësit - Një | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 100

BYG24G-M3/TR

aksione: 160213

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR

aksione: 141773

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 25ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR3

aksione: 131968

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-E3/TR3

aksione: 182415

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR3

aksione: 178714

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR3

aksione: 104636

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 25ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/H

aksione: 136458

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/H

aksione: 128490

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.7V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 75ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23T-M3/TR3

aksione: 129800

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1300V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.9V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 75ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/I

aksione: 120649

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/I

aksione: 155324

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.4V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 75ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/I

aksione: 188118

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/H

aksione: 135545

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 25ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR

aksione: 137182

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/H

aksione: 196477

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR

aksione: 116559

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.4V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 75ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/H

aksione: 167113

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.4V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 75ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/I

aksione: 151425

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR3

aksione: 167334

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR3

aksione: 177836

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.4V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 75ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR

aksione: 116100

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR

aksione: 126510

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 25ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/H

aksione: 113240

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR3

aksione: 197556

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/I

aksione: 112695

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/H

aksione: 164441

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.4V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 75ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR

aksione: 174425

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.4V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 75ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR3

aksione: 199071

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR3

aksione: 120482

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.7V @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 75ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/H

aksione: 162395

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR3

aksione: 109092

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR

aksione: 111717

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.6V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 120ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR3

aksione: 162156

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.4V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 75ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/I

aksione: 131985

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR

aksione: 142403

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Listoj

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/I

aksione: 178334

Lloji i diodës: Avalanche, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.15V @ 1.5A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 4µs,

Listoj