Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

BUK7226-75A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7226-75A,118

aksione: 189676

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 75V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V,

Për të demluar
BUK7604-40A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7604-40A,118

aksione: 62179

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Për të demluar
BUK7108-40AIE,118
Nexperia USA Inc.

BUK7108-40AIE,118

aksione: 1464

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 50A, 10V,

Për të demluar
BUK625R2-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK625R2-30C,118

aksione: 117505

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

Për të demluar
BUK653R3-30C,127
Nexperia USA Inc.

BUK653R3-30C,127

aksione: 1461

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

Për të demluar
BUK6246-75C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6246-75C,118

aksione: 182043

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 75V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 10A, 10V,

Për të demluar
BUK962R8-30B,118
Nexperia USA Inc.

BUK962R8-30B,118

aksione: 81412

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

Për të demluar
BUK7Y59-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y59-60EX

aksione: 163556

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 10V,

Për të demluar
BUK9D23-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK9D23-40EX

aksione: 9999

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 8A, 10V,

Për të demluar
BUK7Y9R9-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y9R9-80EX

aksione: 141706

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 89A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 5A, 10V,

Për të demluar
BTS121AE3045ANTMA1
Infineon Technologies

BTS121AE3045ANTMA1

aksione: 6242

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 9.5A, 4.5V,

Për të demluar
BSS169L6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS169L6906HTSA1

aksione: 1454

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Për të demluar
BSS159NL6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS159NL6906HTSA1

aksione: 1478

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Për të demluar
BSP320SL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP320SL6327HTSA1

aksione: 1391

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

Për të demluar
BSP324L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP324L6327HTSA1

aksione: 1482

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 400V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 170mA, 10V,

Për të demluar
BSF050N03LQ3GXUMA1
Infineon Technologies

BSF050N03LQ3GXUMA1

aksione: 1464

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 60A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Për të demluar
BSD816SNL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSD816SNL6327HTSA1

aksione: 1485

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.8V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V,

Për të demluar
BSB012NE2LX
Infineon Technologies

BSB012NE2LX

aksione: 1435

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 37A (Ta), 170A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 30A, 10V,

Për të demluar
BSB017N03LX3 G
Infineon Technologies

BSB017N03LX3 G

aksione: 1460

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 147A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 30A, 10V,

Për të demluar
BSB012N03LX3 G
Infineon Technologies

BSB012N03LX3 G

aksione: 1453

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 39A (Ta), 180A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 30A, 10V,

Për të demluar
BSP320SL6433HTMA1
Infineon Technologies

BSP320SL6433HTMA1

aksione: 1443

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

Për të demluar
BSS123L6433HTMA1
Infineon Technologies

BSS123L6433HTMA1

aksione: 1415

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Për të demluar
BSP135L6433HTMA1
Infineon Technologies

BSP135L6433HTMA1

aksione: 1475

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 120mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Për të demluar
BSP296L6433HTMA1
Infineon Technologies

BSP296L6433HTMA1

aksione: 1422

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

Për të demluar
BSP125L6433HTMA1
Infineon Technologies

BSP125L6433HTMA1

aksione: 1378

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 120mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Për të demluar
BSF077N06NT3GXUMA1
Infineon Technologies

BSF077N06NT3GXUMA1

aksione: 1439

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 56A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 30A, 10V,

Për të demluar
BSC889N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSC889N03MSGATMA1

aksione: 1403

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) 44A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 30A, 10V,

Për të demluar
BSC889N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC889N03LSGATMA1

aksione: 1458

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 45A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Për të demluar
BSC884N03MS G
Infineon Technologies

BSC884N03MS G

aksione: 1453

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 34V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 85A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 30A, 10V,

Për të demluar
BSC882N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSC882N03MSGATMA1

aksione: 1461

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 34V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 100A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 10V,

Për të demluar
BSC240N12NS3 G
Infineon Technologies

BSC240N12NS3 G

aksione: 1398

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 120V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 31A, 10V,

Për të demluar
BSV236SPH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSV236SPH6327XTSA1

aksione: 144710

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Për të demluar
BSS127H6327XTSA2
Infineon Technologies

BSS127H6327XTSA2

aksione: 137721

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 21mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Për të demluar
BUK961R4-30E,118
NXP USA Inc.

BUK961R4-30E,118

aksione: 1432

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 5V,

Për të demluar
BUK761R3-30E,118
NXP USA Inc.

BUK761R3-30E,118

aksione: 1413

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

Për të demluar
BSN20Q-7
Diodes Incorporated

BSN20Q-7

aksione: 146657

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 50V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 220mA, 10V,

Për të demluar