Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 2.66GHz, Fitimi: 15dB, Tensioni - Prova: 28V, Vlerësimi aktual: 10µA,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 2.14GHz, Fitimi: 15.5dB, Tensioni - Prova: 28V, Vlerësimi aktual: 10µA,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 960MHz, Fitimi: 18.5dB, Tensioni - Prova: 30V, Vlerësimi aktual: 10µA,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 920MHz ~ 960MHz, Fitimi: 18dB, Tensioni - Prova: 30V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 2.17GHz, Fitimi: 17.5dB, Tensioni - Prova: 30V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 945MHz, Fitimi: 17dB, Tensioni - Prova: 26V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS (Dual), Frekuenca: 1.99GHz, Fitimi: 20dB, Tensioni - Prova: 28V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 1.99GHz, Fitimi: 14.5dB, Tensioni - Prova: 28V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Fitimi: 14dB, Tensioni - Prova: 30V,
Lloji i tranzitorit: pHEMT FET, Frekuenca: 3.55GHz, Fitimi: 9dB, Tensioni - Prova: 6V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 880MHz, Fitimi: 21.2dB, Tensioni - Prova: 28V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 880MHz, Fitimi: 16.5dB, Tensioni - Prova: 26V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 1.99GHz, Fitimi: 17.2dB, Tensioni - Prova: 28V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 880MHz, Fitimi: 17.8dB, Tensioni - Prova: 26V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 1.81GHz, Fitimi: 17.5dB, Tensioni - Prova: 28V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 2.17GHz, Fitimi: 18.5dB, Tensioni - Prova: 28V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 960MHz, Fitimi: 18.5dB, Tensioni - Prova: 26V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 945MHz, Fitimi: 18.8dB, Tensioni - Prova: 28V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Fitimi: 13.5dB, Tensioni - Prova: 28V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Fitimi: 17.9dB, Tensioni - Prova: 28V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Fitimi: 15dB, Tensioni - Prova: 30V,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 1.99GHz, Fitimi: 15dB, Tensioni - Prova: 28V,
Lloji i tranzitorit: N-Channel GaAs HJ-FET, Frekuenca: 12GHz, Fitimi: 13dB, Tensioni - Prova: 2V, Vlerësimi aktual: 60mA, Figura e zhurmës: 0.65dB,
Lloji i tranzitorit: HFET, Frekuenca: 2GHz, Fitimi: 16dB, Tensioni - Prova: 2V, Vlerësimi aktual: 120mA, Figura e zhurmës: 0.6dB,
Lloji i tranzitorit: HFET, Frekuenca: 12GHz, Fitimi: 13.5dB, Tensioni - Prova: 2V, Vlerësimi aktual: 70mA, Figura e zhurmës: 0.3dB,
Lloji i tranzitorit: HFET, Frekuenca: 12GHz, Fitimi: 13dB, Tensioni - Prova: 2V, Vlerësimi aktual: 15mA, Figura e zhurmës: 0.5dB,
Lloji i tranzitorit: Silicon Carbide MESFET, Frekuenca: 1.95GHz, Fitimi: 15dB, Tensioni - Prova: 48V, Vlerësimi aktual: 1.8A, Figura e zhurmës: 3.1dB,
Lloji i tranzitorit: N-Channel JFET, Vlerësimi aktual: 20mA,
Lloji i tranzitorit: N-Channel JFET, Frekuenca: 400MHz, Tensioni - Prova: 15V, Vlerësimi aktual: 10mA, Figura e zhurmës: 4dB,
Lloji i tranzitorit: N-Channel JFET, Frekuenca: 400MHz, Tensioni - Prova: 15V, Vlerësimi aktual: 15mA, Figura e zhurmës: 4dB,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 960MHz, Fitimi: 15dB, Tensioni - Prova: 28V, Vlerësimi aktual: 250mA,
Lloji i tranzitorit: LDMOS, Frekuenca: 500MHz, Fitimi: 14.5dB, Tensioni - Prova: 12.5V, Vlerësimi aktual: 7A,