Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Diodat - Ndreqësit - Vargjet

1PS59SB15,115
NXP USA Inc.

1PS59SB15,115

aksione: 4404

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 800mV @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.

1PS59SB14,115

aksione: 4331

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 800mV @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar
1PS226,115
NXP USA Inc.

1PS226,115

aksione: 4446

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 215mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 100mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
1PS184,135
NXP USA Inc.

1PS184,135

aksione: 4337

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 215mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 100mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
1PS184,115
NXP USA Inc.

1PS184,115

aksione: 4473

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 215mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 100mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
1PS70SB14/ZLX
Nexperia USA Inc.

1PS70SB14/ZLX

aksione: 4330

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 800mV @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar
1PS70SB14/ZLF
Nexperia USA Inc.

1PS70SB14/ZLF

aksione: 4334

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 800mV @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar
1SS184S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS184S,LF(D

aksione: 4245

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar
1SS412(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS412(TE85L,F)

aksione: 4112

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar
1SS360(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS360(T5L,F,T)

aksione: 4169

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar
1SS302TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS302TE85LF

aksione: 162072

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar
1SS301SU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS301SU,LF

aksione: 4015

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar
1N6659
Microsemi Corporation

1N6659

aksione: 4137

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
16CTU04-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04-1

aksione: 3721

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
16CTU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04

aksione: 3649

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
16CTQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ060

aksione: 3669

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
16CTU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04S

aksione: 3644

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
110CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASL

aksione: 3638

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 55A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 540mV @ 55A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
110CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASM

aksione: 3688

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 55A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 540mV @ 55A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
113CNQ100ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASM

aksione: 3674

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 55A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 810mV @ 55A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
113CNQ100ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASL

aksione: 4418

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 55A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 810mV @ 55A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
111CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASM

aksione: 3691

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 55A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 610mV @ 55A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
111CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASL

aksione: 3663

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 55A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 610mV @ 55A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
115CNQ015A
Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015A

aksione: 3629

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 15V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 55A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 370mV @ 55A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
112CNQ030ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASL

aksione: 3678

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 55A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 490mV @ 55A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
112CNQ030ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASM

aksione: 3654

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 55A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 490mV @ 55A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
115CNQ015ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015ASM

aksione: 3703

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 15V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 55A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 370mV @ 55A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
113CNQ100A
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100A

aksione: 3655

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 55A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 810mV @ 55A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
110CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045A

aksione: 3673

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 55A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 540mV @ 55A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
112CNQ030A
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030A

aksione: 3657

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 55A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 490mV @ 55A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
111CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045A

aksione: 3692

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 55A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 610mV @ 55A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
16CTQ100STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRR

aksione: 3680

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
16CTQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRL

aksione: 3603

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
16CTQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRR

aksione: 3660

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
16CTQ100-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100-1

aksione: 3603

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
16CTQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRL

aksione: 3691

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar