Diodat - Ndreqësit - Vargjet | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 100

MBRT60040R

aksione: 959

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 600A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 300A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200160(A)D

aksione: 1239

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 200A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT50040R

aksione: 1084

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 500A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 250A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

FST12080

aksione: 1525

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 120A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 840mV @ 120A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT50060R

aksione: 1065

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 500A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 800mV @ 250A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035R

aksione: 1133

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 500A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 250A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR200200CTR

aksione: 1485

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 920mV @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MURT30040

aksione: 1082

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 300A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.35V @ 150A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035

aksione: 1091

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 500A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 250A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MURT10040

aksione: 1273

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.35V @ 50A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MURTA60060R

aksione: 985

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 600A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.7V @ 300A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045

aksione: 992

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 400A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 200A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A200

aksione: 3422

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 60A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 920mV @ 60A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

FST12030

aksione: 1597

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 120A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 650mV @ 120A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

FST12040

aksione: 1554

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 120A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 650mV @ 120A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080C-E3/4W

aksione: 148724

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080C-M3/4W

aksione: 142397

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40DM120CHM3/I

aksione: 72988

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 120V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 890mV @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1060C-M3/4W

aksione: 152283

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 700mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3045CBP-M3/4W

aksione: 65447

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 570mV @ 15A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4045C-M3/4W

aksione: 56553

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 580mV @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2080C-M3/4W

aksione: 115587

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 810mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3060C-M3/4W

aksione: 103984

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 700mV @ 15A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40100C-M3/4W

aksione: 73453

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 730mV @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3045C-M3/4W

aksione: 76935

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 570mV @ 15A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

SMC Diode Solutions

SBR10200CT

aksione: 179092

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 980mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Infineon Technologies

DD710N16KHPSA2

aksione: 124

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 710A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.31V @ 2500A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Infineon Technologies

DD540N22KHPSA2

aksione: 104

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 2200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 540A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.48V @ 1700A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Infineon Technologies

DD171N16KHPSA1

aksione: 113

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 171A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.26V @ 500A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Infineon Technologies

DD260N12KHPSA1

aksione: 137

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 260A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.32V @ 800A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D3

aksione: 1918

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Silicon Carbide Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.7V @ 15A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Nexperia USA Inc.

PMEG6002TV,115

aksione: 116897

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 200mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10100CTHMNG

aksione: 164

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 950mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

ON Semiconductor

NRVBB20100CTT4G

aksione: 51931

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 850mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

ON Semiconductor

SBAT54ALT3G

aksione: 190167

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 800mV @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar

Diodes Incorporated

MBRF10150CT-JT

aksione: 122752

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 890mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar