Transistor&euml;t - Bipolar (BJT) - Beqar, Para-An

MUN5116T1

aksione: 1949

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

SMUN5114T1G

aksione: 110208

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

DTC144TM3T5G

aksione: 116547

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

MUN5232T1G

aksione: 100365

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

NSBC123TF3T5G

aksione: 119007

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

NSVMMUN2230LT1G

aksione: 173789

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 1 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 1 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

RN2312(TE85L,F)

aksione: 147502

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1412TE85LF

aksione: 2025

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Për të demluar

PDTA143ZK,135

aksione: 2011

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

PDTA113ES,126

aksione: 1934

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 1 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 1 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V,

Për të demluar

PDTA123ES,126

aksione: 3204

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 2.2 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Për të demluar

PDTC143ZS,126

aksione: 1943

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

PDTC115TS,126

aksione: 2022

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 100 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Për të demluar

PDTA114YS,126

aksione: 3244

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

DDTC115GUA-7-F

aksione: 123447

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 100 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

DDTC123YCA-7-F

aksione: 143837

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

DDTC144VKA-7-F

aksione: 1920

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

DDTA114YKA-7-F

aksione: 1884

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

DDTC124TKA-7-F

aksione: 2076

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Për të demluar

UNR5115G0L

aksione: 3288

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

UNR221F00L

aksione: 2021

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

UNR921DG0L

aksione: 1986

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

UNR52ALG0L

aksione: 1965

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

UNR522600L

aksione: 170750

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Për të demluar

UNR9118G0L

aksione: 1948

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 510 Ohms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 5.1 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

DRC9144V0L

aksione: 165493

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

UNR521NG0L

aksione: 119112

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

UNR52A6G0L

aksione: 168231

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

UNR911LG0L

aksione: 1925

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Për të demluar